1.一种电容器，其特征在于，所述电容器包括：

半导体衬底，包括至少一个衬底沟槽组，所述衬底沟槽组自所述半导体衬底的上表面向下进入所述半导体衬底；

至少一个叠层结构，每个叠层结构包括n层导电层和m层电介质层，所述n层导电层中的第一层导电层设置于所述半导体衬底上方和所述衬底沟槽组内，所述n层导电层中的第i层导电层形成有第i导电层沟槽组，所述n层导电层中的第i+1层导电层设置于所述第i层导电层的上方和所述第i导电层沟槽组内，所述n层导电层和所述m层电介质层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构，m、n、i为正整数，且n≥2，1≤i≤n‑1；

至少一个第一外接电极，所述第一外接电极电连接至所述n层导电层中的一部分导电层；

至少一个第二外接电极，所述第二外接电极电连接至所述n层导电层中的另一部分导电层，所述一部分导电层中的每层导电层在所述叠层结构中相邻的导电层包括有所述另一部分导电层中的至少一个导电层；

所述第i层导电层包括膜层部分和沟槽部分，所述第i导电层沟槽组设置于所述第i层导电层的所述膜层部分且未进入所述第i层导电层的所述沟槽部分；

所述每个叠层结构包括第一层导电层、第二层导电层、第一层电介质层和第二层电介质层；其中，所述第一层电介质层设置于所述半导体衬底与所述第一层导电层之间，所述第二层电介质层设置于所述第一层导电层与所述第二层导电层之间；

所述第一层导电层包括所述膜层部分和所述沟槽部分，所述第一层导电层形成有第一导电层沟槽组，所述第一导电层沟槽组设置于所述第一层导电层的所述膜层部分且未进入所述第一层导电层的所述沟槽部分，所述第二层导电层设置于所述第一层导电层的上方和所述第一导电层沟槽组内；

所述第一导电层的沟槽部分位于所述衬底沟槽组中，且所述第一导电层的膜层部分位于所述半导体衬底的上方；

所述衬底沟槽组中衬底沟槽的数量和尺寸与所述第一导电层沟槽组中第一导电层沟槽的数量和尺寸相同。

2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一层导电层的所述膜层部分的厚度范围为10nm 20μm。

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3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述n层导电层中不同导电层所包括的导电层沟槽的数量和/或尺寸相同。

4.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述n层导电层中不同导电层所包括的导电层沟槽的数量和/或尺寸不同。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其特征在于，所述衬底沟槽组所包括的多个衬底沟槽呈阵列分布，和/或，所述第i导电层沟槽组所包括的多个导电层沟槽呈阵列分布。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其特征在于，所述衬底沟槽组所包括的多个衬底沟槽的尺寸小于第一阈值，和/或，所述第i导电层沟槽组所包括的多个导电层沟槽的尺寸小于第二阈值。

7.根据权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述第一阈值等于所述第二阈值。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其特征在于，所述每个叠层结构还包括第三层导电层和第三层电介质层；其中，所述第三层电介质层设置于所述第二层导电层与所述第三层导电层之间；

所述第二层导电层包括膜层部分和沟槽部分，所述第二层导电层形成有第二导电层沟槽组，所述第二导电层沟槽组设置于所述第二层导电层的膜层部分且未进入所述第二层导电层的沟槽部分，所述第三层导电层设置于所述第二层导电层的上方和所述第二导电层沟槽组内。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其特征在于，所述叠层结构中设置有台阶结构，所述台阶结构上设置有由绝缘材料形成的刻蚀停止层，或者，所述台阶结构边缘处设置有由绝缘材料形成的边墙。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其特征在于，所述半导体衬底由电阻率小于阈值的材料形成，或者，所述半导体衬底的表面形成有重掺杂的电阻率小于阈值的导电层或者导电区域。

11.根据权利要求10所述的电容器，其特征在于，

所述叠层结构中距离所述半导体衬底最近的导电层电连接所述第一外接电极，所述半导体衬底电连接所述第二外接电极；或者所述叠层结构中距离所述半导体衬底最近的导电层电连接所述第二外接电极，所述半导体衬底电连接所述第一外接电极。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：电极层，设置于所述叠层结构的上方，所述电极层包括相互分离的至少一个第一导电区域和至少一个第二导电区域，所述第一导电区域形成所述第一外接电极，所述第二导电区域形成所述第二外接电极。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其特征在于，所述第一外接电极和/或所述第二外接电极通过互联结构电连接至所述n层导电层中的导电层。

14.根据权利要求13所述的电容器，其特征在于，所述互联结构包括至少一层绝缘层和导电通孔结构，所述导电通孔结构贯穿所述至少一层绝缘层，以至电连接所述n层导电层中的导电层。

15.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其特征在于，所述第一外接电极电连接至所述n层导电层中的所有奇数层导电层，所述第二外接电极电连接至所述n层导电层中的所有偶数层导电层。

16.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其特征在于，所述至少一个叠层结构中不同叠层结构共用同一个所述第一外接电极，和/或，不同叠层结构共用同一个所述第二外接电极。

17.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其特征在于，所述导电层包括以下中的至少一层：重掺杂多晶硅层，金属硅化物层，碳层，导电聚合物层，铝层，铜层，钨层，钛层，钽层，铂层，镍层，钌层，铱层，铑层，氮化钽层，氮化钛层，氮化铝钛层，氮化硅钽层，氮化碳钽层。

18.根据权利要求1至4中任一项所述的电容器，其特征在于，所述电介质层包括以下中的至少一层：硅的氧化物层，硅的氮化物层，硅的氮氧化物层，金属的氧化物层，金属的氮化物层，金属的氮氧化物层。

19.一种电容器的制作方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上制备至少一个衬底沟槽组，所述衬底沟槽组自所述半导体衬底的上表面向下进入所述半导体衬底；

制备至少一个叠层结构，每个叠层结构包括n层导电层和m层电介质层，所述n层导电层中的第一层导电层设置于所述半导体衬底上方和所述衬底沟槽组内，所述n层导电层中的第i层导电层形成有第i导电层沟槽组，所述n层导电层中的第i+1层导电层设置于所述第i层导电层的上方和所述第i导电层沟槽组内，所述n层导电层和所述m层电介质层形成导电层与电介质层彼此相邻的结构，m、n、i为正整数，且n≥2，1≤i≤n‑1；

制备至少一个第一外接电极和至少一个第二外接电极，其中，所述第一外接电极电连接至所述n层导电层中的一部分导电层，所述第二外接电极电连接至所述n层导电层中的另一部分导电层，所述一部分导电层中的每层导电层在所述叠层结构中相邻的导电层包括有所述另一部分导电层中的至少一个导电层；

所述第i层导电层包括膜层部分和沟槽部分，所述第i导电层沟槽组设置于所述第i层导电层的所述膜层部分且未进入所述第i层导电层的所述沟槽部分；

所述叠层结构包括第一层电介质层、第一层导电层、第二层电介质层、第二层导电层；

所述制备叠层结构，包括：

在所述半导体衬底上表面和所述衬底沟槽组内表面沉积第一层电介质层；

在所述第一层电介质层的上表面和内表面沉积所述第一层导电层；

对所述第一层导电层进行刻蚀处理，以在所述第一层导电层中形成第一导电层沟槽组，所述第一导电层沟槽组设置于所述第一层导电层的所述膜层部分且未进入所述第一层导电层的所述沟槽部分；

在所述第一层导电层的上表面和所述第一导电层沟槽组内表面沉积所述第二层电介质层；

在所述第二层电介质层的上表面和内表面沉积所述第二层导电层；

其中，所述第一导电层的沟槽部分位于所述衬底沟槽组中，且所述第一导电层的膜层部分位于所述半导体衬底的上方；

所述衬底沟槽组中衬底沟槽的数量和尺寸与所述第一导电层沟槽组中第一导电层沟槽的数量和尺寸相同。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一层导电层的所述膜层部分的厚度范围为10nm 20μm。

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21.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述n层导电层中不同导电层所包括的导电层沟槽的数量和/或尺寸相同。

22.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述n层导电层中不同导电层所包括的导电层沟槽的数量和/或尺寸不同。

23.根据权利要求19至22中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底沟槽组所包括的多个衬底沟槽呈阵列分布，和/或，所述第i导电层沟槽组所包括的多个导电层沟槽呈阵列分布。

24.根据权利要求19至22中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底沟槽组所包括的多个衬底沟槽的尺寸小于第一阈值，和/或，所述第i导电层沟槽组所包括的多个导电层沟槽的尺寸小于第二阈值。

25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，所述第一阈值等于所述第二阈值。

26.根据权利要求19至22中任一项所述的方法，其特征在于，所述叠层结构中设置有台阶结构，所述台阶结构上设置有由绝缘材料形成的刻蚀停止层，或者，所述台阶结构边缘处设置有由绝缘材料形成的边墙。

27.根据权利要求19至22中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底由电阻率小于阈值的材料形成，或者，所述半导体衬底的表面形成有重掺杂的电阻率小于阈值的导电层或者导电区域。

28.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，

所述叠层结构中距离所述半导体衬底最近的导电层电连接所述第一外接电极，所述半导体衬底电连接所述第二外接电极；或者所述叠层结构中距离所述半导体衬底最近的导电层电连接所述第二外接电极，所述半导体衬底电连接所述第一外接电极。

29.根据权利要求19至22中任一项所述的方法，其特征在于，所述制备至少一个第一外接电极和至少一个第二外接电极，包括：在所述叠层结构上方制备电极层，所述电极层包括相互分离的至少一个第一导电区域和至少一个第二导电区域，所述第一导电区域形成所述第一外接电极，所述第二导电区域形成所述第二外接电极。

30.根据权利要求19至22中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：制备互联结构，以使所述第一外接电极和/或所述第二外接电极通过所述互联结构电连接至所述n层导电层中的导电层。

31.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，所述互联结构包括至少一层绝缘层和导电通孔结构，所述导电通孔结构贯穿所述至少一层绝缘层，以电连接至所述n层导电层中的导电层。

32.根据权利要求19至22中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一外接电极电连接至所述n层导电层中的所有奇数层导电层，所述第二外接电极电连接至所述n层导电层中的所有偶数层导电层。

33.根据权利要求19至22中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个叠层结构中不同叠层结构共用同一个所述第一外接电极，和/或，不同叠层结构共用同一个所述第二外接电极。