1.一种电容器，其特征在于，包括：

叠层结构，所述叠层结构包括至少一层电介质层和多层导电层，所述至少一层电介质层和所述多层导电层形成导电层与电介质层彼此交替的结构；

至少一个第一外接电极和至少一个第二外接电极，其中，所述第一外接电极和所述第二外接电极位于所述叠层结构的上方，所述第一外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，所述第二外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层；

至少一个第三外接电极和至少一个第四外接电极，其中，所述第三外接电极和所述第四外接电极位于所述叠层结构的下方，所述第三外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，所述第四外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层；

其中，所述电容器还包括：

多翼结构，所述叠层结构包覆所述多翼结构，所述多翼结构包括多组翼状结构和多个支撑结构，其中，每组翼状结构中的各个翼状结构平行设置，所述支撑结构为中空的结构，所述翼状结构为所述支撑结构的外侧壁沿第一方向延伸形成的凸起结构，所述第一方向为垂直于所述支撑结构的侧壁的方向。

2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述多层导电层中的部分或者全部导电层与所述多翼结构共形。

3.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述多层导电层中的一部分导电层与所述多翼结构共形，另一部分导电层在外形上与所述多翼结构互补。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述多组翼状结构中的单个翼状结构包括沿着所述第一方向延伸的多个翼。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述多个支撑结构中的支撑结构在其中空区域设置有至少一个轴，所述轴与所述支撑结构的侧壁平行。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，还包括：

隔离环，位于所述多个支撑结构的外侧的上方，且所述隔离环用于将所述叠层结构分隔为内侧和外侧两部分，所述第一外接电极和所述第二外接电极仅与所述叠层结构位于所述隔离环的内侧的部分电连接，以及所述第三外 接电极和所述第四外接电极仅与所述叠层结构位于所述隔离环的内侧的部分电连接。

7.根据权利要求6所述的电容器，其特征在于，还包括：

至少一个第一导电通孔结构和至少一个第二导电通孔结构，其中，

所述第一导电通孔结构位于所述隔离环中，所述第二导电通孔结构位于所述隔离环之外靠近所述电容器中心的区域；或者，所述第一导电通孔结构和/或所述第二导电通孔结构位于所述隔离环之外靠近所述电容器中心的区域；

所述第一外接电极通过所述至少一个第一导电通孔结构电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，所述第二外接电极通过所述至少一个第二导电通孔结构电连接至的所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：环状结构，所述环状结构位于所述多个支撑结构和所述多组翼状结构的外侧。

9.根据权利要求8所述的电容器，其特征在于，所述环状结构由多层第一材料层和多层第二材料层交替堆叠形成。

10.根据权利要求9所述的电容器，其特征在于，所述多组翼状结构和所述多个支撑结构由所述第一材料形成。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述多翼结构由导电材料制成，所述第二外接电极电连接至所述多翼结构。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述多翼结构包括主体材料和主体材料表面的导电层或导电区域，所述第二外接电极通过与主体材料和主体材料表面的导电层或导电区域电连接的方式实现与所述多翼结构的电连接。

13.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，还包括：填充结构，所述填充结构包覆所述叠层结构，并填充所述叠层结构形成的空隙。

14.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述电容器还包括：衬底，设置于所述多翼结构的下方。

15.根据权利要求14所述的电容器，其特征在于，所述多组翼状结构中与所述衬底接触的翼状结构在不同的支撑结构之间存在非连续区域。

16.根据权利要求15所述的电容器，其特征在于，所述衬底在所述非连续区域处形成衬底沟槽，所述叠层结构进一步设置于所述衬底沟槽内。

17.根据权利要求14所述的电容器，其特征在于，所述支撑结构贯穿所述衬底，以使所述衬底的下表面露出所述叠层结构。

18.根据权利要求17所述的电容器，其特征在于，所述第三外接电极和/或所述第四外接电极电连接至所述多层导电层位于所述支撑结构中的区域。

19.根据权利要求14所述的电容器，其特征在于，所述衬底由导电材料制成，所述第三外接电极通过所述衬底电连接至所述多层导电层中与所述衬底接触的导电层。

20.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述第一外接电极和/或所述第二外接电极通过位于所述多翼结构上方的第一互联结构电连接至所述多层导电层中的导电层。

21.根据权利要求20所述的电容器，其特征在于，所述第一互联结构包括至少一个第一绝缘层、至少一个第一导电通孔结构和至少一个第二导电通孔结构，其中，所述至少一个第一绝缘层位于所述多翼结构的上方，所述第一导电通孔结构和所述第二导电通孔结构贯穿所述至少一个第一绝缘层，所述第一外接电极通过所述至少一个第一导电通孔结构电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，所述第二外接电极通过所述至少一个第二导电通孔结构电连接至的所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。

22.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述第三外接电极和/或所述第四外接电极通过位于所述多翼结构下方的第二互联结构电连接至所述多层导电层中的导电层。

23.根据权利要求22所述的电容器，其特征在于，所述第二互联结构包括至少一个第二绝缘层、至少一个第三导电通孔结构和至少一个第四导电通孔结构，其中，所述至少一个第二绝缘层位于所述多翼结构的下方，所述第三导电通孔结构和所述第四导电通孔结构贯穿所述至少一个第二绝缘层，所述第三外接电极通过所述至少一个第三导电通孔结构电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，所述第四外接电极通过所述至少一个第四导电通孔结构电连接至的所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。

24.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，还包括：第一电极层，设置于所述叠层结构的上方，所述第一电极层包括相互分离的至少一个第一导电区域和至少一个第二导电区域，所述第一导电区域形成所述第一外接电极，所述第二导电区域形成所述第二外接电极。

25.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，还包括：第二电极层，设置于所述叠层结构的下方，所述第二电极层包括相互分离的至少一个第三导电区域和至少一个第四导电区域，所述第三导电区域形成所述第三外接电极，所述第四导电区域形成所述第四外接电极。

26.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述多层导电层中的导电层包括以下中的至少一层：重掺杂多晶硅层，金属硅化物层，碳层，导电聚合物层，铝层，铜层，镍层，氮化钽层，氮化钛层，氮化铝钛层，氮化硅钽层，氮化碳钽层。

27.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器，其特征在于，所述至少一层电介质层中的电介质层包括以下中的至少一层：硅的氧化物层，硅的氮化物层，硅的氮氧化物层，金属的氧化物层，金属的氮化物层和金属的氮氧化物层。

28.一种电容结构，其特征在于，包括：第一电容器和第二电容器，其中，所述第一电容器和所述第二电容器为如权利要求1至27中任一项所述的电容器，所述第二电容器位于所述第一电容器的上方，且所述第一电容器的第一外接电极与所述第二电容器的第三外接电极电连接，所述第一电容器的第二外接电极与所述第二电容器的第四外接电极电连接。

29.根据权利要求28所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括：第三电容器，所述第三电容器为如权利要求1至27中任一项所述的电容器，所述第三电容器位于所述第一电容器的下方，且所述第一电容器的第三外接电极与所述第三电容器的第一外接电极电连接，所述第一电容器的第四外接电极与所述第三电容器的第二外接电极电连接。

30.一种电容器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上方制备叠层结构，所述叠层结构包括至少一层电介质层和多层导电层，所述至少一层电介质层和所述多层导电层形成导电层与电介质层彼此交替的结构；

制备至少一个第一外接电极和至少一个第二外接电极，其中，所述第一外接电极和所述第二外接电极位于所述叠层结构的上方，所述第一外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，所述第二外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层；

制备至少一个第三外接电极和至少一个第四外接电极，其中，所述第三外接电极和所述第四外接电极位于所述叠层结构的下方，所述第三外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，所述第四外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层；

其中，所述方法还包括：

在所述衬底上方制备多翼结构，所述叠层结构包覆所述多翼结构，所述多翼结构包括多组翼状结构和多个支撑结构，其中，每组翼状结构中的各个翼状结构平行设置，所述支撑结构为中空的结构，所述翼状结构为所述支撑结构的外侧壁沿第一方向延伸形成的凸起结构，所述第一方向为垂直于所述支撑结构的侧壁的方向。

31.根据权利要求30所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上方制备多翼结构，包括：在所述衬底上方制备多层结构，所述多层结构包括多层第一材料层和多层第二材料层，所述多层第一材料层和所述多层第二材料层形成第一材料层与第二材料层彼此交替的结构，所述第一材料与所述第二材料不同，以及所述第一材料层与所述衬底直接接触；

以所述多层结构为基础，制备多个沟槽，所述沟槽沿着垂直于所述衬底的方向延伸且进入所述衬底；

在所述多层结构上表面、所述多个沟槽的底部和内侧壁沉积所述第一材料，以形成所述第一材料制成的多个中空柱状的第一结构，作为形成所述多个支撑结构的基础；

在余留的所述多层结构内制备沟槽状的多个第二结构，所述第二结构沿着垂直于所述衬底的方向延伸至所述衬底的上表面；

去除所述多个第二结构中露出的第二材料层；

对所述衬底进行减薄处理，以形成所述多翼结构。

32.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述多层导电层中的部分或者全部导电层与所述多翼结构共形。

33.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述多层导电层中的一部分导电层与所述多翼结构共形，另一部分导电层在外形上与所述多翼结构互补。

34.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述多组翼状结构中的单个翼状结构包括沿着所述第一方向延伸的多个翼。

35.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述多个支撑结构中的支撑结构在其中空区域设置有至少一个轴，所述轴与所述支撑结构的侧壁平行。

36.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

制备隔离环，所述隔离环位于所述多个支撑结构的外侧的上方，且所述隔离环用于将所述叠层结构分隔为内侧和外侧两部分，所述第一外接电极和所述第二外接电极仅与所述叠层结构位于所述隔离环的内侧的部分电连接，以及所述第三外接电极和所述第四外接电极仅与所述叠层结构位于所述隔离环的内侧的部分电连接。

37.根据权利要求36所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

制备至少一个第一导电通孔结构和至少一个第二导电通孔结构，其中，

所述第一导电通孔结构位于所述隔离环中，所述第二导电通孔结构位于所述隔离环之外靠近所述电容器中心的区域；或者，所述第一导电通孔结构和/或所述第二导电通孔结构位于所述隔离环之外靠近所述电容器中心的区域；

所述第一外接电极通过所述至少一个第一导电通孔结构电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，所述第二外接电极通过所述至少一个第二导电通孔结构电连接至的所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。

38.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述电容器还包括：环状结构，所述环状结构位于所述多个支撑结构和所述多组翼状结构的外侧。

39.根据权利要求38所述的方法，其特征在于，所述环状结构由多层第一材料层和多层第二材料层交替堆叠形成。

40.根据权利要求39所述的方法，其特征在于，所述多组翼状结构和所述多个支撑结构由所述第一材料形成。

41.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，在所述多翼结构由导电材料制成，所述第二外接电极电连接至所述多翼结构。

42.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述多翼结构包括主体材料和主体材料表面的导电层或导电区域，所述第二外接电极通过与主体材料和主体材料表面的导电层或导电区域电连接的方式实现与所述多翼结构的电连接。

43.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

制备填充结构，所述填充结构包覆所述叠层结构，并填充所述叠层结构形成的空隙。

44.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述多组翼状结构中与所述衬底接触的翼状结构在不同的支撑结构之间存在非连续区域。

45.根据权利要求44所述的方法，其特征在于，所述衬底在所述非连续区域处形成衬底沟槽，所述叠层结构进一步设置于所述衬底沟槽内。

46.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述支撑结构贯穿所述衬底，以使所述衬底的下表面露出所述叠层结构。

47.根据权利要求46所述的方法，其特征在于，所述第三外接电极和/或所述第四外接电极电连接至所述多层导电层位于所述支撑结构中的区域。

48.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述衬底由导电材料制成，所述第三外接电极通过所述衬底电连接至所述多层导电层中与所述衬底接触的导电层。

49.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

制备第一互联结构，其中，所述第一互联结构位于所述多翼结构上方，所述第一外接电极和/或所述第二外接电极通过所述第一互联结构电连接至所述多层导电层中的导电层。

50.根据权利要求49所述的方法，其特征在于，所述第一互联结构包括至少一个第一绝缘层、至少一个第一导电通孔结构和至少一个第二导电通孔结构，其中，所述至少一个第一绝缘层位于所述多翼结构的上方，所述第一导电通孔结构和所述第二导电通孔结构贯穿所述至少一个第一绝缘层，所述第一外接电极通过所述至少一个第一导电通孔结构电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，所述第二外接电极通过所述至少一个第二导电通孔结构电连接至的所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。

51.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

制备第二互联结构，其中，所述第二互联结构位于所述多翼结构下方，所述第三外接电极和/或所述第四外接电极通过所述第二互联结构电连接至所述多层导电层中的导电层。

52.根据权利要求51所述的方法，其特征在于，所述第二互联结构包括至少一个第二绝缘层、至少一个第三导电通孔结构和至少一个第四导电通孔结构，其中，所述至少一个第二绝缘层位于所述多翼结构的下方，所述第三导电通孔结构和所述第四导电通孔结构贯穿所述至少一个第二绝缘层，所述第三外接电极通过所述至少一个第三导电通孔结构电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层，所述第四外接电极通过所述至少一个第四导电通孔结构电连接至的所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。

53.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述制备至少一个第一外接电极和至少一个第二外接电极，包括：在所述叠层结构的上方制备第一电极层，所述第一电极层包括相互分离的至少一个第一导电区域和至少一个第二导电区域，所述第一导电区域形成所述第一外接电极，所述第二导电区域形成所述第二外接电极。

54.根据权利要求30或31所述的方法，其特征在于，所述制备至少一个第三外接电极和至少一个第四外接电极，包括：在所述多翼结构的下方制备第二电极层，所述第二电极层包括相互分离的至少一个第三导电区域和至少一个第四导电区域，所述第三导电区域形成所述第三外接电极，所述第四导电区域形成所述第四外接电极。