1.一种电容器,其特征在于,包括:
多翼结构,所述多翼结构包括N组翼状结构和N个支撑结构,其中,每组翼状结构包括平行设置的M个翼状结构,所述支撑结构的外侧壁上形成有M个限位槽,所述M个翼状结构分别通过所述M个限位槽固定于所述支撑结构的外侧,M和N为正整数;
叠层结构,所述叠层结构包覆所述多翼结构,所述叠层结构包括至少一层电介质层和多层导电层,所述至少一层电介质层和所述多层导电层形成导电层与电介质层彼此交替的结构;
至少一个第一外接电极,所述第一外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层;
至少一个第二外接电极,所述第二外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。
2.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述支撑结构的侧壁向内凹陷以在所述支撑结构的外侧壁上形成所述M个限位槽。
3.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述支撑结构的侧壁向外凸起以在所述支撑结构的外侧壁上形成所述M个限位槽。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器,其特征在于,所述支撑结构为柱状或片状的。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器,其特征在于,所述支撑结构为中空柱状或沟槽状的。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器,其特征在于,所述支撑结构为T型结构。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的电容器,其特征在于,所述电容器还包括:环状结构,所述环状结构位于所述N个支撑结构和所述N组翼状结构的外侧。
8.根据权利要求7所述的电容器,其特征在于,所述环状结构由M层第一材料层和M‑1层第二材料层交替堆叠形成。
9.根据权利要求8所述的电容器,其特征在于,所述翼状结构由所述第一材料形成。
10.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述多层导电层中的部分或者全部导电层与所述多翼结构共形。
11.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述多层导电层中的一部分导电层与所述多翼结构共形,另一部分导电层在外形上与所述多翼结构互补。
12.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,还包括:
隔离环,位于所述N个支撑结构的外侧的上方,且所述隔离环用于将所述叠层结构分隔为内侧和外侧两部分,所述第一外接电极和所述第二外接电极仅与所述叠层结构位于所述隔离环的内侧的部分电连接。
13.根据权利要求12所述的电容器,其特征在于,还包括:
至少一个第一导电通孔结构和至少一个第二导电通孔结构,其中,
所述第一导电通孔结构位于所述隔离环中,所述第二导电通孔结构位于所述隔离环之外靠近所述电容器中心的区域;或者,所述第一导电通孔结构和/或所述第二导电通孔结构位于所述隔离环之外靠近所述电容器中心的区域;
所述第一外接电极通过所述至少一个第一导电通孔结构电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层,所述第二外接电极通过所述至少一个第二导电通孔结构电连接至的所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。
14.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述多翼结构由导电材料制成,所述第二外接电极电连接至所述多翼结构。
15.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述多翼结构包括主体材料和主体材料表面的导电层或导电区域,所述第二外接电极通过与主体材料和主体材料表面的导电层或导电区域电连接与所述多翼结构的电连接。
16.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,还包括:填充结构,所述填充结构包覆所述叠层结构,并填充所述叠层结构形成的空隙。
17.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述电容器还包括:衬底,设置于所述多翼结构的下方。
18.根据权利要求17所述的电容器,其特征在于,所述N组翼状结构中与所述衬底接触的翼状结构在不同的支撑结构之间存在非连续区域。
19.根据权利要求18所述的电容器,其特征在于,所述衬底在所述非连续区域处形成衬底沟槽,所述叠层结构进一步设置于所述衬底沟槽内。
20.根据权利要求17至19中任一项所述的电容器,其特征在于,所述支撑结构延伸进入所述衬底。
21.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,还包括:电极层,设置于所述叠层结构的上方,所述电极层包括相互分离的至少一个第一导电区域和至少一个第二导电区域,所述第一导电区域形成所述第一外接电极,所述第二导电区域形成所述第二外接电极。
22.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述第一外接电极和/或所述第二外接电极通过互联结构电连接至所述多层导电层中的导电层。
23.根据权利要求22所述的电容器,其特征在于,所述互联结构包括至少一个绝缘层、至少一个第一导电通孔结构和至少一个第二导电通孔结构,其中,所述第一导电通孔结构和所述第二导电通孔结构贯穿所述至少一个绝缘层,所述第一外接电极通过所述至少一个第一导电通孔结构电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层,所述第二外接电极通过所述至少一个第二导电通孔结构电连接至的所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。
24.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述多层导电层中的导电层包括以下中的至少一层:重掺杂多晶硅层,金属硅化物层,碳层,导电聚合物层,铝层,铜层,镍层,氮化钽层,氮化钛层,氮化铝钛层,氮化硅钽层,氮化碳钽层。
25.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述至少一层电介质层中的电介质层包括以下中的至少一层:硅的氧化物层,硅的氮化物层,硅的氮氧化物层,金属的氧化物层,金属的氮化物层和金属的氮氧化物层。
26.一种电容器的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底上方制备多翼结构,所述多翼结构包括N组翼状结构和N个支撑结构,其中,每组翼状结构包括平行设置的M个翼状结构,所述支撑结构的外侧壁上形成有M个限位槽,所述M个翼状结构分别通过所述M个限位槽固定于所述支撑结构的外侧,M和N为正整数;
所述多翼结构的制备方法包括:
在所述衬底上方制备多层结构,所述多层结构包括M层第一材料层和M‑1层第二材料层,所述M层第一材料层和所述M‑1层第二材料层形成第一材料层与第二材料层彼此交替的结构,所述第一材料与所述第二材料不同,以及所述第一材料层与所述衬底直接接触;
以所述多层结构为基础,制备沿着第一方向延伸的N个第一沟槽,并去除所述N个第一沟槽中露出的部分所述第二材料,以形成由所述第一材料制成的N个中空柱状或沟槽状的第一结构,所述第一方向为垂直于所述衬底的方向;
在所述多层结构上表面、所述N个第一结构中沉积第三材料;
以所述多层结构为基础,制备沿着所述第一方向延伸的N个第二沟槽,并去除所述N个第二沟槽中露出的第二材料层,形成由所述第一材料制成的N个中空柱状或沟槽状的第二结构,以制备得所述多翼结构;
在所述多翼结构表面制备叠层结构,所述叠层结构包覆所述多翼结构,所述叠层结构包括至少一层电介质层和多层导电层,所述至少一层电介质层和所述多层导电层形成导电层与电介质层彼此交替的结构;
制备至少一个第一外接电极和至少一个第二外接电极,其中,所述第一外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层,所述第二外接电极电连接至所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。
27.根据权利要求26所述的方法,其特征在于,所述支撑结构的侧壁向内凹陷以在所述支撑结构的外侧壁上形成所述M个限位槽。
28.根据权利要求26所述的方法,其特征在于,所述支撑结构的侧壁向外凸起以在所述支撑结构的外侧壁上形成所述M个限位槽。
29.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述支撑结构为柱状或片状的。
30.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述支撑结构为中空柱状或沟槽状的。
31.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述支撑结构为T型结构。
32.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述电容器还包括:环状结构,所述环状结构位于所述N个支撑结构和所述N组翼状结构的外侧。
33.根据权利要求32所述的方法,其特征在于,所述环状结构由M层第一材料层和M‑1层第二材料层交替堆叠形成。
34.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述多层导电层中的部分或者全部导电层与所述多翼结构共形。
35.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述多层导电层中的一部分导电层与所述多翼结构共形,另一部分导电层在外形上与所述多翼结构互补。
36.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:制备隔离环,所述隔离环位于所述N个支撑结构的外侧的上方,且所述隔离环用于将所述叠层结构分隔为内侧和外侧两部分,所述第一外接电极和所述第二外接电极仅与所述叠层结构位于所述隔离环的内侧的部分电连接。
37.根据权利要求36所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
制备至少一个第一导电通孔结构和至少一个第二导电通孔结构,其中,
所述第一导电通孔结构位于所述隔离环中,所述第二导电通孔结构位于所述隔离环之外靠近所述电容器中心的区域;或者,所述第一导电通孔结构和/或所述第二导电通孔结构位于所述隔离环之外靠近所述电容器中心的区域;
所述第一外接电极通过所述至少一个第一导电通孔结构电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层,所述第二外接电极通过所述至少一个第二导电通孔结构电连接至的所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。
38.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述多翼结构由导电材料制成,所述第二外接电极电连接至所述多翼结构。
39.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述多翼结构包括主体材料和主体材料表面的导电层或导电区域,所述第二外接电极通过与主体材料和主体材料表面的导电层或导电区域电连接与所述多翼结构的电连接。
40.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:制备填充结构,所述填充结构包覆所述叠层结构,并填充所述叠层结构形成的空隙。
41.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述N组翼状结构中与所述衬底接触的翼状结构在不同的支撑结构之间存在非连续区域。
42.根据权利要求41所述的方法,其特征在于,所述衬底在所述非连续区域处形成衬底沟槽,所述叠层结构进一步设置于所述衬底沟槽内。
43.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述支撑结构延伸进入所述衬底。
44.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述制备至少一个第一外接电极和至少一个第二外接电极,包括:在所述叠层结构的上方制备电极层,所述电极层包括相互分离的至少一个第一导电区域和至少一个第二导电区域,所述第一导电区域形成所述第一外接电极,所述第二导电区域形成所述第二外接电极。
45.根据权利要求26至28中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:制备互联结构,其中,所述第一外接电极和/或所述第二外接电极通过所述互联结构电连接至所述多层导电层中的导电层。
46.根据权利要求45所述的方法,其特征在于,所述互联结构包括至少一个绝缘层、至少一个第一导电通孔结构和至少一个第二导电通孔结构,其中,所述第一导电通孔结构和所述第二导电通孔结构贯穿所述至少一个绝缘层,所述第一外接电极通过所述至少一个第一导电通孔结构电连接至所述多层导电层中的部分或者全部奇数层导电层,所述第二外接电极通过所述至少一个第二导电通孔结构电连接至的所述多层导电层中的部分或者全部偶数层导电层。