1.一种MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供绝缘介质层，在所述绝缘介质层表面形成第一沟槽；

对具有所述第一沟槽的绝缘介质层进行第一次热退火；所述第一次热退火的温度在

1100摄氏度至1200摄氏度的范围内，时间为30秒；

在所述绝缘介质层的第一沟槽所在一侧形成氧化硅层，使得所述氧化硅层远离所述绝缘介质层的表面也形成与所述第一沟槽对应第二沟槽；

对所述氧化硅层进行真空退火使得所述第二沟槽的拐角处变光滑；

采用腐蚀性溶液对所述氧化硅层远离所述绝缘介质层的表面进行处理增加氧化硅层的表面粗糙度；

在已增加表面粗糙度的所述氧化硅层上形成缓冲金属层及电容结构；

所述腐蚀性溶液为10:1的氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液的处理时间在10秒至20秒的范围内。

2.如权利要求1所述的MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述氧化硅层采用LPCVD或者APCVD的方式沉积形成。

3.如权利要求1所述的MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述氧化硅层的厚度在

1000埃到3000埃的范围内。

4.如权利要求1所述的MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述真空高温快速热退火温度在950摄氏度至1050摄氏度的范围内。

5.如权利要求1所述的MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述真空高温快速热退火的退火时间在30秒至60秒的范围内。

6.如权利要求1所述的MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述缓冲金属层的厚度在

500埃至1000埃的范围内。

7.如权利要求1所述的MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述缓冲金属层的材料包括铜、钨、钌中的一种、两种或三种。