1.一种制备高通量薄膜的磁控溅射装置，其特征在于：包括基体、基片台、圆筒、带齿圆环和掩模组件，所述带齿圆环安装在圆筒的上端处，所述掩模组件安装在圆筒的下端处，所述基体位于圆筒内且通过轴承与带齿圆环可转动连接，基片放置在基片台上，基片台安装在基体的底部上，所述带齿圆环的内壁设有齿形结构，所述基体上设有第一真空电机，第一真空电机的电机轴上设有第一齿轮，所述第一齿轮与带齿圆环的齿形结构啮合，第一真空电机用于驱动基体相对于掩模组件旋转；

所述掩模组件包括设有掩模安装板、掩模和齿条，所述掩模安装板内设有通道，在掩模安装板的末端还设有一个与通道连通的安装孔，该通道沿着板上圆心和安装孔圆心连线方向设置，所述掩模与齿条连接，且两者均可在该通道内移动，所述掩模安装板用于将圆筒的底部封住，并在与圆筒中轴线对应处设有长方形通孔，该长方形通孔与通道连通，同时该长方形通孔尺寸小于掩模的尺寸，第二真空电机安装在圆筒的外侧上，其电机轴上设有第二齿轮，所述第二齿轮安装在该安装孔上且与齿条啮合，第二真空电机用于驱动掩模左右移动；所述基体的中心轴部还与外部电机连接，外部电机通过驱动基体，带动整个磁控溅射装置的旋转。

2.如权利要求1所述的制备高通量薄膜的磁控溅射装置，其特征在于：所述掩模为方形。

3.如权利要求1或2所述的制备高通量薄膜的磁控溅射装置，其特征在于：所述圆筒外设有用于平衡第二真空电机重量的配重。

4.一种基于权利要求1所述的磁控溅射装置制备高通量薄膜的制备方法，其特征在于：包括磁控溅射装置，该装置安装在磁控溅射系统的真空腔内，真空腔内设有三个靶，每个靶包括靶体和靶材，靶材安装在靶体上，每个靶倾斜靶材中心正对基体中心；所述方法包括以下步骤：步骤一、完成溅射实验的前提准备，包括基片清洗以及抽气；

步骤二、第一块靶材进行预溅射；

步骤三、开启外部电机，使基体带动整个磁控溅射装置旋转，再进行溅射；

步骤四、在溅射的同时，开启第二真空电机，使掩模匀速移动；掩模移动结束后，结束溅射；

步骤五、开启第二真空电机，反方向旋转使掩模归位；归位完成后，开启第一真空电机，使掩模组件与基片相对转动，掩模组件与原先位置有120°的夹角；

步骤六、第二块靶材进行预溅射，依次按照步骤三至步骤五进行操作；

步骤七、第三块靶材进行预溅射，依次按照步骤三和步骤四进行操作，便获得一块三元高通量薄膜。