1.一种能够提高成膜质量的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，用于在基片上沉积ITO薄膜，其中，包括：预热腔，其将基片预热至一定温度，所述预热腔的顶面和底面上分别设置有加热器，所述预热腔的两侧壁上设置有第一滚轴；

沉积腔，其连接于所述预热腔，等离子体产生于所述沉积腔内；所述沉积腔的底面内设置有第一加热板，所述沉积腔的两侧壁上设置有ITO靶材和磁体，所述ITO靶材的溅射面两两相对，所述磁体位于所述ITO靶材的后部，且所述两侧壁上的磁体的磁力相反，以在所述两侧壁间形成磁场；所述ITO靶材的前端设置有可开合的挡板；所述沉积腔的两侧壁上均匀开设有通气孔，且所述两侧壁上的通气孔交错设置，以向所述沉积腔内通入反应气体；所述沉积腔的两侧壁上设置有第二滚轴，所述第二滚轴位于所述ITO靶材的下方，并与所述第一滚轴的高度齐平，且所述第二滚轴为可伸缩设置；所述沉积腔的下表面上均匀设置有若干支柱，所述支柱可上下运动；

冷却腔，其连接于所述沉积腔，所述冷却腔的底面上设置有第二加热板，所述第二加热板将所述冷却腔的初始温度加热至与基板在所述沉积腔内沉积时的温度相同，并在所述基板进入冷却腔后停止加热；所述冷却腔的两侧壁上设置有第三滚轴，所述第三滚轴的高度与所述第一滚轴和第二滚轴齐平；

成品腔，其连接于所述冷却腔，所述成品腔内设置有多个格栅，以将所述成品腔均匀分隔为多个隔室；

真空泵，其与所述预热腔、沉积腔和冷却腔分别连接，以控制所述各个腔室的真空度；

控制面板，其与所述预热腔、沉积腔、冷却腔和真空泵分别连接，以对各个腔室内的部件和真空泵进行控制。

2.如权利要求1所述的能够提高成膜质量的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，其中，还包括：

温度传感器，其受控于所述控制面板，并分别设置于所述预热腔、沉积腔和冷却腔的侧壁上。

3.如权利要求1所述的能够提高成膜质量的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，其中，所述第二滚轴位于所述等离子体的区域外。

4.如权利要求1所述的能够提高成膜质量的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，其中，所述挡板的可开合方式具体为：所述挡板由至少3片萼片以可开合的方式交错连接构成，且所述挡板在打开时，所述萼片形成一平面并与所述沉积腔的侧壁平行，所述挡板在闭合时，所述萼片形成一闭合罩体，将所述ITO靶材包裹在所述闭合罩体内部。

5.如权利要求1所述的能够提高成膜质量的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，其中，所述成品腔的底部设置有伸缩台，所述伸缩台在完全伸展时使所述成品腔的最下端的隔室与所述冷却腔的出口平齐，所述伸缩台在完全收缩时使所述成品腔的最上端的隔室与所述冷却腔的出口平齐。

6.如权利要求5所述的能够提高成膜质量的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，其中，所述伸缩台上设置有重力传感器，所述重力传感器与所述控制面板通讯连接，所述重力传感器在感测到所述成品腔的重量加大时，向所述控制面板发送信号，所述控制面板控制所述伸缩台向上伸展1个隔室的高度。

7.如权利要求6所述的能够提高成膜质量的磁控溅射制备ITO薄膜的系统，其中，所述伸缩台上设置有与所述控制面板通讯连接的提示装置，所述提示装置在所述伸缩台完全伸展后向所述控制面板发出提示。