1.基于混频脉冲反应磁控溅射制备的热敏薄膜，其特征在于：所述基于混频脉冲反应磁控溅射制备的热敏薄膜是以稀土元素钒作为掺杂剂制备；所述基于混频脉冲反应磁控溅射制备的热敏薄膜包括衬底层和热敏薄膜层，所述热敏薄膜层沉积在衬底层上，所述热敏薄膜为B相或M相二氧化钒薄膜或低价态二氧化钒薄膜，所述热敏薄膜的制备方法具体步骤如下：

步骤一、制备[V2O5/VO]10多层结构的前驱体；

步骤二、对步骤一的前驱体进行快速热退火得到基于混频脉冲反应磁控溅射制备的热敏薄膜；

所述步骤一的具体步骤如下：

步骤1靶材制备：在惰性气体气氛下，将金属钒熔化锻造，得到钒靶材；

步骤2基片清洗：对衬底基片进行清洗，分别在丙酮、去离子水、无水乙醇中超声10min，最后用高纯氮气吹干；

步骤3真空预抽：将清洗备用的衬底基片置于样品托上，将样品托固定在溅射腔内的旋‑5转台上，溅射腔内预抽真空度<1×10 ，通入气体氩气和反应气体氧气，控制溅射气压为

0.75Pa，设定衬底温度为280℃；

步骤4脉冲溅射：1)调节占空比为90%，脉冲频率70‑80kHz，溅射功率为250W，氧气流量为5.5 sccm，氩气流量为100 sccm，公转2.26，自转‑3.52，溅射10‑40s得到VO薄膜；2)改变占空比为60%，脉冲频率150‑400kHz，溅射功率为250W，氧气流量为5.5 sccm，氩气流量为

100 sccm，公转2.26，自转‑3.52，溅射2min得到绝缘相V2O5；3)再调节脉冲频率为70‑80kHz，其余条件不变，溅射10‑40s，得到低价VO薄膜；4)再依次交替生长V2O5和VO薄膜，共生长10周期，得到氧化钒薄膜前驱体；

所述步骤二的具体步骤如下：将步骤4)溅射制得氧化钒薄膜放进快速退火炉中，调节快速退火炉的真空度、退火温度和升温速率，升温后再保温40s，保温后再降温时间1‑3min，所述退火温度为400℃，升温速率为50℃/s。

2.根据权利要求1所述的基于混频脉冲反应磁控溅射制备的热敏薄膜，其特征在于，所‑3述真空度1×10 Pa。