1.一种抗中高温氧化的Ti/TiN多层涂层的制备方法，其特征在于，具体包括步骤如下：（1）预处理

选用TC4钛合金，试样尺寸为10mm×10mm×2mm，表面抛光、去除表面油污和锈迹，之后依次放入丙酮和乙醇溶液中，超声波各清洗5min，进一步去除基体表面油污和其他附着物，‑3

用电吹风充分干燥后迅速挂在样品架上，放入工作室并抽真空至6.0×10 Pa；

（2）离子清洗

通入氩气，控制压强在0.2Pa，基体施加800V负偏压值，占空比为20%，离子轰击清洗时间为10min；

（3）子层的沉积

离子清洗结束后，切断氩气，通入氮气，向基体施加偏压，开启控制阴极Ti靶电源，开始TiN子层的沉积；再沉积Ti子层，保持Ti靶电流不变，切断氮气，通入氩气；TiN、Ti子层依次交替沉积，待最后一层Ti子层制备完毕后，再沉积最外层TiN层；其中，沉积TiN子层时的工艺参数为：电流70A，负偏压值400V，占空比20%，氮气工作压强在1.0Pa，Ti:N原子比=1:1，每层沉积时间21min，每层沉积厚度2.2μm，层数11；沉积Ti子层的工艺参数为：电流70A，负偏压值300V，占空比20%，氩气压强0.2Pa，每层沉积时间0.5min，每层沉积厚度0.05μm，层数

10；样品架自转速度为5rpm，基体加热温度为200℃±20℃，靶基距离为15cm，Ti靶纯度为

99.99wt%，Ti靶直径60mm、高度40mm。

2.一种抗中高温氧化的Ti/TiN多层涂层的制备方法，其特征在于，具体包括步骤如下：（1）预处理

选用TC4钛合金，试样尺寸为10mm×15mm×2mm，表面抛光、去除表面油污和锈迹，之后依次放入丙酮和乙醇溶液中，超声波各清洗7min，进一步去除基体表面油污和其他附着物，‑3

用电吹风充分干燥后迅速挂在样品架上，放入工作室并抽真空至6.5×10 Pa；

（2）离子清洗

通入氩气，控制压强在0.25Pa，基体施加850V负偏压值，占空比为25%，离子轰击清洗时间为13min；

（3）子层的沉积

离子清洗结束后，切断氩气，通入氮气，向基体施加偏压，开启控制阴极Ti靶电源，开始TiN子层的沉积；再沉积Ti子层，保持Ti靶电流不变，切断氮气，通入氩气；TiN、Ti子层依次交替沉积，待最后一层Ti子层制备完毕后，再沉积最外层TiN层；其中，沉积TiN子层时的工艺参数为：电流70A，负偏压值450V，占空比25%，氮气工作压强在1.5Pa，Ti:N原子比=1:1，每层沉积时间22min，每层沉积厚度2.1μm，层数9；沉积Ti子层的工艺参数为：电流70A，负偏压值200V，占空比25%，氩气压强0.25Pa，每层沉积时间2.5min，每层沉积厚度0.2μm，层数8；样品架自转速度为5rpm，基体加热温度为200℃±20℃，靶基距离为17cm，Ti靶纯度为

99.99wt%，Ti靶直径70mm、高度50mm。

3.一种抗中高温氧化的Ti/TiN多层涂层的制备方法，其特征在于，具体包括步骤如下：（1）预处理

选用TA11钛合金，试样尺寸为15mm×15mm×1mm，表面抛光、去除表面油污和锈迹，之后依次放入丙酮和乙醇溶液中，超声波各清洗10min，进一步去除基体表面油污和其他附着‑3

物，用电吹风充分干燥后迅速挂在样品架上，放入工作室并抽真空至7.0×10 Pa；

（2）离子清洗

通入氩气，控制压强在0.3Pa，基体施加900V负偏压值，占空比为20%，离子轰击清洗时间为15min；

（3）子层的沉积

离子清洗结束后，切断氩气，通入氮气，向基体施加偏压，开启控制阴极Ti靶电源，开始TiN子层的沉积；再沉积Ti子层，保持Ti靶电流不变，切断氮气，通入氩气；TiN、Ti子层依次交替沉积，待最后一层Ti子层制备完毕后，再沉积最外层TiN层；其中，沉积TiN子层时的工艺参数为：电流80A，负偏压值500V，占空比30%，氮气工作压强在1.5Pa，Ti:N原子比=1:1，每层沉积时间19min，每层沉积厚度2.0μm，层数9；沉积Ti子层的工艺参数为：电流80A，负偏压值150V，占空比30%，氩气压强0.3Pa，每层沉积时间2min，每层沉积厚度0.3μm，层数8；样品架自转速度为5rpm，基体加热温度为200℃±20℃，靶基距离为19cm，Ti靶纯度为99.99wt%，Ti靶直径80mm、高度50mm。

4.一种抗中高温氧化的Ti/TiN多层涂层的制备方法，其特征在于，具体包括步骤如下：（1）预处理

选用TA11钛合金，试样尺寸为20mm×10mm×3mm，表面抛光、去除表面油污和锈迹，之后依次放入丙酮和乙醇溶液中，超声波各清洗13min，进一步去除基体表面油污和其他附着‑3

物，用电吹风充分干燥后迅速挂在样品架上，放入工作室并抽真空至7.5×10 Pa；

（2）离子清洗

通入氩气，控制压强在0.35Pa，基体施加950V负偏压值，占空比为30%，离子轰击清洗时间为17min；

（3）子层的沉积

离子清洗结束后，切断氩气，通入氮气，向基体施加偏压，开启控制阴极Ti靶电源，开始TiN子层的沉积；再沉积Ti子层，保持Ti靶电流不变，切断氮气，通入氩气；TiN、Ti子层依次交替沉积，待最后一层Ti子层制备完毕后，再沉积最外层TiN层；其中，沉积TiN子层时的工艺参数为：电流85A，负偏压值550V，占空比35%，氮气工作压强在2.0Pa，Ti:N原子比=1:1，每层沉积时间20min，每层沉积厚度1.9μm，层数9；沉积Ti子层的工艺参数为：电流85A，负偏压值100V，占空比35%，氩气压强0.35Pa，每层沉积时间5.5min，每层沉积厚度0.5μm，层数8；样品架自转速度为5rpm，基体加热温度为200℃±20℃，靶基距离为21cm，Ti靶纯度为

99.99wt%，Ti靶直径90mm、高度60mm。

5.一种抗中高温氧化的Ti/TiN多层涂层的制备方法，其特征在于，具体包括步骤如下：（1）预处理

选用Ti60钛合金，试样尺寸为15mm×5mm×1mm，表面抛光、去除表面油污和锈迹，之后依次放入丙酮和乙醇溶液中，超声波各清洗15min，进一步去除基体表面油污和其他附着‑3

物，用电吹风充分干燥后迅速挂在样品架上，放入工作室并抽真空至8.0×10 Pa；

（2）离子清洗

通入氩气，控制压强在0.4Pa，基体施加1000V负偏压值，占空比为30%，离子轰击清洗时间为20min；

（3）子层的沉积

离子清洗结束后，切断氩气，通入氮气，向基体施加偏压，开启控制阴极Ti靶电源，开始TiN子层的沉积；再沉积Ti子层，保持Ti靶电流不变，切断氮气，通入氩气；TiN、Ti子层依次交替沉积，待最后一层Ti子层制备完毕后，再沉积最外层TiN层；其中，沉积TiN子层时的工艺参数为：电流90A，负偏压值600V，占空比40%，氮气工作压强在2.0Pa，Ti:N原子比=1:1，每层沉积时间21min，每层沉积厚度2.0μm，层数5；沉积Ti子层的工艺参数为：电流90A，负偏压值50V，占空比40%，氩气压强0.4Pa，每层沉积时间5.5min，每层沉积厚度0.7μm，层数4；样品架自转速度为5rpm，基体加热温度为200℃±20℃，靶基距离为23cm，Ti靶纯度为99.99wt%，Ti靶直径100mm、高度60mm。

6.一种抗中高温氧化的Ti/TiN多层涂层的制备方法，其特征在于，具体包括步骤如下：（1）预处理

选用Ti60钛合金，试样尺寸为15mm×10mm×3mm，表面抛光、去除表面油污和锈迹，之后依次放入丙酮和乙醇溶液中，超声波各清洗5min，进一步去除基体表面油污和其他附着物，‑3

用电吹风充分干燥后迅速挂在样品架上，放入工作室并抽真空至7.0×10 Pa；

（2）离子清洗

通入氩气，控制压强在0.2Pa，基体施加900V负偏压值，占空比为20%，离子轰击清洗时间为10min；

（3）子层的沉积

离子清洗结束后，切断氩气，通入氮气，向基体施加偏压，开启控制阴极Ti靶电源，开始TiN子层的沉积；再沉积Ti子层，保持Ti靶电流不变，切断氮气，通入氩气；TiN、Ti子层依次交替沉积，待最后一层Ti子层制备完毕后，再沉积最外层TiN层；其中，沉积TiN子层时的工艺参数为：电流100A，负偏压值650V，占空比45%，氮气工作压强在2.5Pa，Ti:N原子比=1:1，每层沉积时间20min，每层沉积厚度1.9μm，层数7；沉积Ti子层的工艺参数为：电流100A，负偏压值200V，占空比45%，氩气压强0.5Pa，每层沉积时间11min，每层沉积厚度1.0μm，层数6；

样品架自转速度为5rpm，基体加热温度为200℃±20℃，靶基距离为25cm，Ti靶纯度为

99.99wt%，Ti靶直径100mm、高度70mm。