1.一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器，其特征在于，以正方体为衬底层(1)，顶层为光栅层，光栅层为一圆环(2)与圆柱(3)组成的设计图样，圆环(2)内套有圆柱(3)，两层结构紧密贴合。

2.根据权利要求1所述的一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器，其特征在于，所述衬底层(1)为重掺杂的N型硅，所述衬底层(1)的厚度为300μm，周期为200μm，掺杂浓度为

2.91×1018cm-3，对应的电导率为76.9S/m。

3.根据权利要求1所述的一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器，其特征在于，吸收器的顶层厚度为50μm，圆环(2)外半径为90μm，内半径为75μm，圆柱(3)半径为55μm，圆环(2)与圆柱(3)之间形成15μm宽的环型空隙。

4.一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器的制作方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，清洗抛光硅片衬底，之后将硅片用氮气吹干；

步骤2，在经步骤1后得到的硅片表面上旋涂一层光刻胶层，并进行烘烤，之后将掩膜版置于光刻胶上；

步骤3，对光刻胶进行曝光，显影后得到周期性的结构图案；

步骤4，通过反应离子刻蚀裸露的硅表面，刻蚀厚度为50μm，之后利用有机溶剂去除剩余光刻胶，得到周期性的半导体结构，即得到宽带可调谐太赫兹波吸收器。

5.根据权利要求4所述的一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，光刻胶旋涂时的转速为4000rad/30s，旋涂厚度为4μm。

6.根据权利要求4所述的一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，烘烤温度为100℃，烘烤时间为2min。

7.根据权利要求4所述的一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，光刻胶在10mJ/cm2的光密度下进行曝光，曝光时长为3～5s，且显影时间为40～45s。

8.根据权利要求4所述的一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，采用的刻蚀反应气体为C4F8与SF6的混合气体；C4F8与SF6气体的流量分别为190sccm和450sccm。

9.根据权利要求4所述的一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，有机溶剂为丙酮、甲醇、丁酮或乙醇中的一种或几种。