1.一种窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，包括由下至上依次层叠的接地金属层、介质层和金属贴片层；

所述接地金属层的上表面覆盖所述介质层的下表面，所述介质层的上表面覆盖所述金属贴片层的下表面；

所述金属贴片层具有向内收缩的T型开口，且所述金属贴片层去除所述T型开口后的剩余部分为对称结构。

2.根据权利要求1所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述接地金属层的材料包括金、银、铜中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述接地金属层的厚度为0.4μm，以实现对入射电磁波进行全反射。

4.根据权利要求1所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述金属贴片层的材料包括金、银、铜中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述介质层的材料包括二氧化硅，氧化铝，聚乙烯环烯烃共聚物，聚酰亚胺中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述介质层的介电常数的实部为3，损耗角正切值为0.06。

7.根据权利要求5所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述介质层的厚度为6.5μm。

8.根据权利要求1所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述T型开口的尺寸满足：l1>l4，l3>l2；其中，l1表示所述T型开口的横向块的宽度，l2表示所述T型开口的横向块的深度，l3表示所述T型开口的竖向块的深度，l4表示所述T型开口的竖向块的宽度。

9.根据权利要求1所述窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述接地金属层和所述介质层的横切面形状包括多边形、圆形、椭圆形中的一种。

10.根据权利要求9所述的窄带和宽带的太赫兹波吸收器，其特征在于，所述接地金属层和所述介质层的横切面形状相同。