1.一种太赫兹窄带吸收装置，其特征在于，包括依次堆叠的金属衬底、硅介质层、第一二氧化硅介质层、第二二氧化硅介质层和石墨烯层；

所述第二二氧化硅介质层内开设有与第一二氧化硅介质层、石墨烯层相通的腔体。

2.根据权利要求1所述的一种太赫兹窄带吸收装置，其特征在于，所述腔体的截面为圆形。

3.根据权利要求1所述的一种太赫兹窄带吸收装置，其特征在于，所述石墨烯层为环形。

4.根据权利要求1所述的一种太赫兹窄带吸收装置，其特征在于，所述第一二氧化硅介质层为圆柱体。

5.根据权利要求1所述的一种太赫兹窄带吸收装置，其特征在于，所述石墨烯层的散射率为0.1meV，费米能级为0.7eV。

6.根据权利要求1所述的一种太赫兹窄带吸收装置，其特征在于，硅介质层在水平面上的投影与金属衬底在水平面上的投影相同。