1.一种复合介电薄膜，其特征在于：由聚偏氟乙烯和金纳米颗粒制备而成，按照体积分数计算，其中，金纳米颗粒为0.01～0.02vol％，其余为聚偏氟乙烯；

复合介电薄膜以聚偏氟乙烯作为绝缘保护层，金纳米颗粒作为中间层，构成聚合物-金属-聚合物三明治结构；

复合介电薄膜的制备方法包括以下制备步骤：(1)选取聚偏氟乙烯树脂加入到溶剂中溶解均匀形成聚偏氟乙烯溶液；

(2)将聚偏氟乙烯溶液均匀涂布在模具表面，干燥制成PVDF薄膜，PVDF薄膜的厚度为35～40μm；

(3)将PVDF薄膜置于离子溅射仪或磁控溅射镀膜仪中进行单面镀金处理；

(4)将镀金后的薄膜置于模腔中，镀金面向上，在模腔中加入聚偏氟乙烯溶液，烘干后从模具上剥离即得PVDF/金纳米颗粒复合介电薄膜。

2.如权利要求1所述的一种复合介电薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下制备步骤：

(1)选取聚偏氟乙烯树脂加入到溶剂中溶解均匀形成聚偏氟乙烯溶液；

(2)将聚偏氟乙烯溶液均匀涂布在模具表面，干燥制成PVDF薄膜；

(3)将PVDF薄膜置于离子溅射仪或磁控溅射镀膜仪中进行单面镀金处理；

(4)将镀金后的薄膜置于模腔中，镀金面向上，在模腔中加入聚偏氟乙烯溶液，烘干后从模具上剥离即得PVDF/金纳米颗粒复合介电薄膜。

3.根据权利要求2所述的一种复合介电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述溶剂是指能够溶解或均匀分散聚偏氟乙酸树脂的任意溶剂。

4.根据权利要求2所述的一种复合介电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)均匀涂布在模具表面的聚偏氟乙烯的厚度为35～40μm。

5.根据权利要求2～4任意一项所述的一种复合介电薄膜的制备方法，其特征在于：所述金纳米颗粒的粒径为40～70nm。