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专利号: 2018112181970
申请人: 邯郸学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2024-12-10
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种新型氟化导电粒子/PVDF基复合介电薄膜的制备方法,其特征在于,所述的复合介电薄膜包括氟化导电粒子填料、PVDF,氟化导电粒子均匀分散在PVDF基体中;其中所述的PVDF基体的质量百分比为98.0%-99.9%,所述的氟化导电粒子的质量百分比为0.1%-

2.0%,所述的氟化导电粒子填料包括氟化石墨、氟化石墨烯、氟化碳纳米管、氟化炭黑中的一种。

2.根据权利要求1所述的新型氟化导电粒子/PVDF基复合介电薄膜,其特征在于,所述的氟化导电粒子为市售商品,其片径为0.5-10μm,含氟量为35%-65%。

3.一种如权利要求1所述的新型氟化导电粒子/PVDF基复合介电薄膜的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)将PVDF和氟化导电粒子分别溶于一定比例的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中,在35-50℃下磁力搅拌20-50min,分别超声分散10-30min,形成均一稳定溶液A和B;

(2)把步骤(1)所得到的溶液A和B混合,在35-50℃下磁力搅拌20-50min,超声分散10-

30min,得到均一稳定溶液C;

(3)把溶液C浇注到超平培养皿上制备复合介电薄膜,将该复合薄膜置于80-100℃下干燥3-5h,蒸发掉有机溶剂,得到复合薄膜D;

(4)为了获得优质的复合薄膜,必须进一步除去复合薄膜D中的缺陷(如气孔,表面平整度及杂质等),将复合薄膜D置于一定温度下真空干燥若干小时,随后退火到室温。

4.根据权利要求3所述新型氟化导电粒子/PVDF基复合介电薄膜的制备方法,其特征在于,所述的氟化导电粒子和PVDF总质量与DMF的质量比为1:8-10。

5.根据权利要求3所述新型氟化导电粒子/PVDF基复合介电薄膜的制备方法,其特征在于,真空干燥温度为120-160℃,干燥时间为8-12h。

6.根据权利要求3所述新型氟化导电粒子/PVDF基复合介电薄膜的制备方法,其特征在于,PVDF的熔体流动速率为2-5g/10min,12.5Kg/230℃。