1.一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)、AlGaN层(3)、钝化层(4)和绝缘介质层(5)；所述AlGaN层(3)的Al摩尔组分从AlGaN层(3)底部到顶部逐渐增大，AlGaN层(3)与GaN层(2)形成异质结；所述AlGaN层(3)上层两端分别具有源极结构和漏极结构，在源极结构和漏极结构之间的AlGaN层(3)上层具有栅极结构；所述栅极结构包括通过刻蚀部分AlGaN层(3)形成的第一凹槽(10)、绝缘栅介质(5)和金属栅电极(9)，第一凹槽(10)的底部与侧面覆盖绝缘介质层(5)，金属栅电极(9)填充在第一凹槽(10)中，且金属栅电极(9)和第一凹槽(10)之间通过绝缘栅介质(5)隔离，金属栅电极(9)沿器件上表面向两端延伸；所述源极结构为嵌入AlGaN层(3)上表面一端且形成欧姆接触的金属源电极(6)；所述漏极结构包括肖特基结构和金属-绝缘层-半导体结构；

所述肖特基结构为在AlGaN层(3)上表面另一端形成肖特基接触的第一金属(7)；所述金属-绝缘层-半导体结构包括一个通过刻蚀部分AlGaN层(3)形成的第二凹槽(11)、绝缘介质(5)和第二金属(8)，第二凹槽(11)与第一金属(7)相邻，且绝缘介质(5)沿第二凹槽(11)侧面延伸至并覆盖第二凹槽(11)的底部，在第二凹槽(11)中填充第二金属(8)，第二金属(8)还沿器件上表面向靠近栅极结构的一侧延伸，且第一金属(7)与第二金属(8)之间进行电气连接，两电极之间保持相同电位。

2.根据权利要求1所述的逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述衬底(1)采用的材料为硅、蓝宝石，碳化硅和氮化镓中的一种。

3.根据权利要求2所述的逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述钝化层(4)采用的材料为HfO2、SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO或Sc2O3中的一种或多种组合。

4.根据权利要求3所述的逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述绝缘介质(5)采用的材料为HfO2、SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO或Sc2O3中的一种或多种组合。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述AlGaN层(3)中Al、Ga、N的组分分别为x、1-x、1，从AlGaN层(3)底部到顶部Al组分x由0到

0.5渐变。

6.根据权利要求5所述的逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，AlGaN层(3)的厚度为5nm到12nm。