1.一种逆阻型氮化镓器件，包括衬底(1)、位于衬底上表面的GaN缓冲层(2)和位于GaN缓冲层(2)上表面的InAlN势垒层(3)，所述GaN缓冲层(2)和InAlN势垒层(3)形成异质结；所述InAlN势垒层(3)两侧上表面具有与其形成肖特基接触的源极金属(4)和漏极金属(5)；所述漏极金属(5)的功函数大于所述源极金属(4)的功函数；所述漏极金属(5)采用功函数大于5eV的金属或合金，源极金属(4)采用功函数小于5eV的金属或合金；在靠近源极(4)一侧有嵌入势垒层(3)的凹槽栅结构(8)；所述凹槽栅结构(8)由栅介质(6)、栅极金属(7)构成。

2.根据权利要求1所述的逆阻型氮化镓器件，其特征在于，所述衬底(1)采用的材料是硅、蓝宝石、碳化硅或氮化镓中的一种。

3.根据权利要求2所述的逆阻型氮化镓器件，其特征在于，所述势垒层(3)为III族元素In、Al、N形成的三元化合物。

4.根据权利要求3所述的逆阻型氮化镓器件，其特征在于，所述绝缘栅介质(6)采用的材料为SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO、Sc2O3或HfO2中的一种。