1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管，包括HEMT外延片、源极、栅极和漏极，其特征在于：所述HEMT外延片顶部包括AlGaN势垒层和与AlGaN势垒层上表面连接的钝化层，所述源极和漏极分别穿过所述钝化层与AlGaN势垒层表面形成欧姆接触，所述栅极底部设有半圆弧形栅结构，所述栅极穿过所述钝化层且所述半圆弧形栅结构延伸至AlGaN势垒层内部形成肖特基接触。

2.如权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述钝化层将所述源极、栅极和漏极分别隔离。

3.如权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述源极为Ti金属源极、Al金属源极、Ni金属源极和Au金属源极中的任一种；所述漏极为Ti金属漏极、Al金属漏极、Ni金属漏极和Au金属漏极中的任一种；所述栅极为Ni金属栅极或Au金属栅极。

4.如权利要求1所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述HEMT外延片包括自下而上依次层叠的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和钝化层。

5.如权利要求4所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述衬底为Si、SiC、GaN、蓝宝石和金刚石中的任一种。

6.如权利要求4所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述成核层为AlN层。

7.如权利要求4所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述缓冲层为GaN缓冲层、AlGaN缓冲层和InGaN缓冲层中的一种。

8.如权利要求4所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述钝化层为Si3N4钝化层、AlN钝化层、SiO2钝化层和Al2O3钝化层中的任一种。

9.如权利要求4-8任一项所述的氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述成核层的厚度为1～5nm，所述缓冲层的厚度为2～4μm，所述GaN沟道层的厚度为0.1～0.2μm，所述AlGaN势垒层的厚度为0.02～0.03μm，所述钝化层的厚度为0.2～0.5um。