1.一种逆阻型氮化镓器件，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)和MGaN层(3)，所述GaN层(2)和MGaN层(3)形成异质结；所述M为除Ga之外的Ⅲ族元素；所述MGaN层(3)上表面一端具有漏极金属(5)，所述漏极金属(5)与MGaN层(3)形成肖特基势垒接触；其特征在于，在所述MGaN层(3)另一端具有绝缘栅极结构(6)，所述绝缘栅极结构(6)由绝缘栅介质(8)和金属栅电极(9)构成，其中金属栅电极(9)位于绝缘栅凹槽(7)中，所述绝缘栅凹槽(7)为贯穿MGaN层(3)并延伸入GaN层(2)上表面的凹槽，金属栅电极(9)与MGaN层(3)和GaN层(2)之间通过绝缘栅介质(8)隔离；与绝缘栅极结构(6)相邻的MGaN层(3)上表面具有源极金属(4)，所述源极金属(4)与金属栅电极(9)之间通过绝缘栅介质(8)隔离，且绝缘栅介质(8)完全覆盖源极金属(4)的表面并沿MGaN层(3)上表面延伸至与部分漏极金属(5)的下表面接触。

2.根据权利要求1所述的一种逆阻型氮化镓器件，其特征在于，所述漏极金属(5)底部不与绝缘栅介质(8)接触的部分，向下延伸至嵌入GaN层(2)上层。

3.根据权利要求1或2所述的一种逆阻型氮化镓器件，其特征在于，所述衬底(1)采用的材料为硅、蓝宝石、碳化硅和氮化镓中的一种。

4.根据权利要求3所述的一种逆阻型氮化镓器件，其特征在于，所述绝缘栅介质(8)采用的材料为SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO和Sc2O3中的一种。