1.具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

(a)在选定衬底和缓冲层上形成第二半导体层和第一半导体层，并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构，且在异质结构的界面处第二半导体一侧形成二维电子气；

(b)在第一半导体层上进行离子注入隔离，定义器件的有源区，在有源区，二维电子气得以保留，在非有源区，二维电子气因离子注入而耗尽；

(c)在所述第一半导体上制作源电极和漏电极；所述源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；

(d)在所述第一半导体的一侧对器件进行保护，并去除所述的衬底和缓冲层；

(e)对第二半导体进行减薄；

(f)在所述第二半导体底部构造多单元第一金属层；

(g)在每一单元第一金属层上构造N型半导体热电材料；

(h)在每一单元第一金属层上构造P型半导体热电材料；

(i)在每一单元N型热电材料上构造第二金属层；

(j)在每一单元P型热电材料上构造第三金属层，并保证除第一单元的第一金属层和最后一单元的第三金属层之外，每一单元的第三金属层和下一单元的第一金属层进行级联；

(k)在第一金属层和第三金属层上构造电绝缘散热层，并保证散热层跟每一单元的第一金属层和第三金属层有良好的接触；

(l)将第一单元的第一金属层和HEMT器件的源极进行电连接，将最后一单元的第三金属层通过一电阻和一个二极管的阳极连接，将二极管的阴极和HEMT器件的漏极连接；

(m)器件整体封装。

2.根据权利要求1所述具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法，其特征在于：所述的第一半导体层的材料为AlGaN。

3.根据权利要求1所述具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法，其特征在于：所述的第二半导体层的材料为GaN。

4.根据权利要求1所述具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法，其特征在于：所述的P型热电材料采用NaCo2O4。

5.根据权利要求1所述具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法，其特征在于：所述的N型热电材料采用SiGe。

6.根据权利要求1所述具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法，其特征在于：所述的第一金属层采用金属Ag。

7.根据权利要求1所述具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法，其特征在于：所述的第二金属层采用金属Cu。

8.根据权利要求1所述具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法，其特征在于：所述的第三金属层采用Cu-Mo合金制成。

9.根据权利要求1所述具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法，其特征在于：所述的电绝缘的热良导体散热层采用BN复合陶瓷材料制成。