1.一种发光器件，包含：

发光结构，其包含：包含第一半导体层和在所述第一半导体层之下的第二半导体层的第一导电型半导体层，在所述第二半导体层之下的有源层，以及在所述有源层之下的第二导电型半导体层；

在所述第二导电型半导体层之下的电极层；

在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的周边之上的第一绝缘层；和在所述第一绝缘层之下的第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二半导体层、所述有源层和所述第二导电型半导体层的周边。

2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第二绝缘层的下部延伸到在所述电极层和所述第二导电型半导体层之间的周边内。

3.如权利要求2所述的发光器件，其中设置所述第二绝缘层的所述下部使其与所述第一绝缘层的内部在垂直方向上重叠。

4.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第二半导体层的下表面的宽度大于所述第二半导体层的上表面的宽度。

5.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一绝缘层的外部上表面比所述第一半导体层的下表面向外延伸得更远。

6.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一和第二绝缘层的内侧表面中的至少一个具有凹凸结构。

7.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层由相同材料制成。

8.如权利要求1所述的发光器件，包含在所述第一半导体层之上的电极，其中所述第一半导体层的掺杂剂浓度低于所述第二半导体层的掺杂剂浓度。

9.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层各自包含组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料，且所述第一半导体层的半导体材料的折射率高于所述第二半导体层的半导体材料。

10.如权利要求1所述的发光器件，包含在所述第二绝缘层和所述电极层之间的周边之上的沟道层，其中所述沟道层在所述第二导电型半导体层和所述电极层之间延伸。

11.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层具有框形、环形和回线形中的任意一种。

12.如权利要求1所述的发光器件，包含：在所述电极层和所述第二导电型半导体层之间的欧姆层；在所述电极层之下的结合层；以及在所述结合层之下的导电支撑构件。

13.如权利要求1所述的发光器件，包含在所述电极层和所述第二导电半导体层之间的与所述电极在垂直方向上重叠的电流阻挡层。

14.如权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层具有粗糙或不平坦图案。

15.一种发光器件封装，包含：

本体；

在所述本体之上的多个导线电极；

结合到所述多个导线电极之一并与所述多个导线电极电连接的发光器件；和模制所述发光器件的模制构件，其中所述发光器件包含：

发光结构，其包含：包含第一半导体层和在所述第一半导体层之下的第二半导体层的第一导电型半导体层，在所述第二半导体层之下的有源层，以及在所述有源层之下的第二导电型半导体层；

在所述第二导电型半导体层之下的电极层；

在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的周边之上的第一绝缘层；和在所述第一绝缘层之下的第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二半导体层、所述有源层和所述第二导电型半导体层的周边。