1.一种发光器件，包括：

衬底；

在所述衬底的表面上散布的多个簇；

在所述多个簇上设置的并且在所述衬底上形成的第一半导体层，其中所述第一半导体层包括在所述多个簇上设置的气隙；

在所述第一半导体层和所述气隙上设置的第二半导体层；以及在所述第二半导体层上的发光结构，其中所述发光结构包括：在所述第二半导体层上的第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电型半导体层，其中所述多个簇由球形、椭圆形或多边形形成，并且其中所述多个簇中的每一个具有 的尺寸。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述簇包括MgN簇或Mg簇。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述气隙形成在所述簇上并且由柱形、倒锥形或倒金字塔形形成。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述衬底包括：在所述簇层下的掺杂半导体层或未掺杂半导体层、II-VI族元素中至少一种的缓冲层中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括：未掺杂半导体层、非导电半导体层或导电半导体层中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述衬底通过形成于所述多个簇之间的开口暴露。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第二半导体层包括超晶格结构。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层中的所述气隙中的至少一个为锥形。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述衬底是导电型衬底。

10.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：与所述第一导电型半导体层连接的第一电极、以及与所述第二导电型半导体层连接的第二电极。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述气隙设置在所述第二半导体层和所述多个簇之间。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层与所述衬底之间的接触面积大于所述第一半导体层和所述簇层之间的接触面积。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述衬底由硅制成。

14.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：在所述第二导电型半导体层上的透射性电极层或反射性电极层中的至少一种。

15.一种发光器件封装，具有根据权利要求1所述的发光器件，并具有封装体和在所述封装体上的多个引线电极。

16.根据权利要求15所述的发光器件封装，还包括：覆盖所述发光器件的模制元件。