1.一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件，其特征在于：包括源极、栅极、漏极、第一半导层、第二半导体层、第一金属层、N型热电材料、P型热电材料、第二金属层、第三金属层、电绝缘的热良导体散热层、电阻和二极管；

所述的第一半导体层下表面设有第二半导体层，所述的第二半导体层下表面设有多个第一金属层，所述的第一金属层下表面的一侧设有一个N型热电材料，所述的第一金属层下表面的另一侧设有一个P型热电材料，每个N型热电材料的下表面设有一个第二金属层，每个P型热电材料的下表面设有一个第三金属层，第二金属层和第三金属层下表面与电绝缘的热良导体散热层连接，所述源极、栅极、漏极均设在第一半导体层的上表面，且所述栅极处在所述源极和漏极之间；所述的N型热电材料和P型热电材料形成多个单元，每个单元包括一个N型热电材料和一个P型热电材料，每一个单元的P型热电材料下表面的第三金属层与上一个单元的N型热电材料下表面的金属，第一个单元N型热电材料下侧的第二金属层与源极相连，最后一个单元的P型热电材料下表面的第三金属层与电阻的一端连接，电阻的另一端与二极管的阳极连接，二极管的阴极与漏极连接，所述的第一半导体层与第二半导体层之间形成异质结，由于极化作用产生二维电子气；所述的源极与漏极通过二维电子气连接；所述栅极设置于源极与漏极之间，用于允许或阻碍二维电子气的通过。

2.根据权利要求1所述的一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件，其特征在于：所述的第一半导体层的材料为GaN。

3.根据权利要求1所述的一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件，其特征在于：所述的第二半导体层的材料为AlGaN。

4.根据权利要求1所述的一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件，其特征在于：所述的P型热电材料采用NaCo2O4。

5.根据权利要求1所述的一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件，其特征在于：所述的N型热电材料采用SiGe。

6.根据权利要求1所述的一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件，其特征在于：所述的第一金属层采用金属Ag。

7.根据权利要求1所述的一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件，其特征在于：所述的第二金属层采用金属Cu。

8.根据权利要求1所述的一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件，其特征在于：所述的第三金属层采用Cu-Mo合金制成。

9.根据权利要求1所述的一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件，其特征在于：所述的电绝缘的热良导体散热层采用BN复合陶瓷材料制成。