1.一种HEMT器件，其特征在于，包括设置在底端的衬底(1)、位于衬底(1)上的缓冲层(2)、位于缓冲层(2)上的沟道层(3)、位于沟道层(3)上的势垒层(4)以及位于势垒层(4)上的介质层(5)；所述衬底(1)、缓冲层(2)、沟道层(3)、势垒层(4)和介质层(5)构成长方体状的元胞；

所述元胞顶面的一端为HEMT器件的漏极；所述漏极上设置有若干并排的第一凹槽以及漏极金属(9)；所述第一凹槽的槽底与沟道层(3)接触，其顶面为势垒层(4)且无介质层(5)；

所述漏极金属(9)的部分覆盖于介质层(5)上以形成漏极场板，其另一部分覆盖于势垒层(4)的表面以及通过第一凹槽的侧壁和槽底分别与势垒层(4)和沟道层(3)接触；

所述元胞顶面的另一端设置有源极和栅极；所述源极包括若干并排的第二凹槽和若干并排的第三凹槽，所述第二凹槽上设置有源极肖特基接触金属(7)，所述第三凹槽上设置有源极欧姆接触金属(8)；所述第二凹槽和第三凹槽的槽底均与沟道层(3)接触，所述第二凹槽靠近漏极的侧壁和部分槽底覆盖有介质层(5)；所述栅极设置于源极肖特基接触金属(7)和源极欧姆接触金属(8)之间以达到电气隔离的目的；所述源极肖特基接触金属(7)的一部分覆盖于第二凹槽之间的势垒层(4)表面，其另一部分覆盖于凹槽侧壁和槽底的沟道层(3)、势垒层(4)以及介质层(5)上，所述源极肖特基接触金属(7)分别与势垒层(4)和沟道层(3)接触形成肖基特接触；所述源极欧姆接触金属(8)覆盖于第三凹槽的表面且分别与沟道层(3)和势垒层(4)接触。

2.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述第二凹槽靠近漏极一侧的边缘位置与漏极之间的距离不小于栅极与漏极之间的距离。

3.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述栅极为结型栅，其包括覆盖于势垒层(4)上的p型区域(6)，所述p型区域(6)为p型GaN区域或p型AlGaN区域；所述p型区域(6)上覆盖有第一栅极金属(10)。

4.根据权利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述栅极为凹槽栅，其为凹槽状结构，其槽底设置于势垒层(4)中且不与沟道层(3)接触，其槽底和侧壁上均覆盖有介质层(5)，其内壁上均设置有第二栅极金属(11)。

5.根据权利要求4所述的HEMT器件，其特征在于，所述衬底(1)为Si、SiC或Al2O3。

6.根据权利要求5所述的HEMT器件，其特征在于，所述缓冲层(2)为AlGaN或GaN。

7.根据权利要求6所述的HEMT器件，其特征在于，所述沟道层(3)为GaN。

8.根据权利要求7所述的HEMT器件，其特征在于，所述势垒层(4)为AlGaN。