1.一种氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、GaN层(2)和AlGaN层(3)；所述AlGaN层(3)的Al摩尔组分从AlGaN层(3)底部到顶部逐渐增大，AlGaN层(3)与GaN层(2)形成异质结；在器件上层两端还分别具有阴极结构和MIS-肖特基混合阳极结构；所述阴极结构为在异质结上层形成欧姆接触的第一金属(6)；所述MIS-肖特基混合阳极结构包括金属-绝缘层-半导体结构和肖特基结构，所述肖特基结构为在异质结上层形成肖特基接触的第二金属(7)，所述金属-绝缘层-半导体结构包括一个刻蚀部分AlGaN层(3)的凹槽，凹槽底部和侧面覆盖一层绝缘介质(5)，绝缘介质(5)上方覆盖金属电极(8)，该金属电极(8)与第二金属(7)之间进行电气连接，两者之间保持相同电位；在所述AlGaN层(3)上表面淀积SiN层(4)形成钝化层；在所述钝化层上生长有绝缘介质(5)，部分绝缘介质(5)沿SiN层(4)和金属电极(8)之间的侧面延伸至AlGaN层(3)上表面构成MIS结构的绝缘层。

2.根据权利要求1所述的氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管，其特征在于，所述衬底(1)采用的材料为硅、蓝宝石，碳化硅和氮化镓中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管，其特征在于，所述绝缘介质(5)采用的材料为HfO2、SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO或Sc2O3中的一种或多种组合，其厚度在1nm到100nm之间。

4.根据权利要求3所述的氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管，其特征在于，AlGaN层(3)中Al、Ga、N的组分分别为x、1-x、1，从AlGaN层(3)底部到顶部Al组分x由0到0.5渐变。

5.根据权利要求4所述的氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管，其特征在于，AlGaN层(3)的厚度为5nm到12nm。