1.一种晶圆离子注入方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

步骤一：将多晶硅原料放入到石英坩埚中加热融化；

步骤二：对步骤一中的融化的多晶硅原料进行降温处理，多晶硅原料中开始生长单晶硅棒；

步骤三：对步骤二中的单晶硅棒进行外径研磨，将单晶硅棒切片成晶圆；

步骤四：将步骤三中的晶圆放入刻蚀装置中进行刻蚀；

步骤五：将步骤四中刻蚀后的晶圆进行清洗、风干；

步骤六：将步骤五中风干后的晶圆进行光刻显影；

步骤七：对步骤六中光刻显影后的晶圆进行等离子注入；

其中，该方法采用的刻蚀装置包括反应仓(1)，移动模块(2)、抓取模块(3)、一号反应槽(13)、二号反应槽(14)、三号反应槽(15)和储料筒(4)，反应仓(1)中设有进料门(11)和出料门(12)；所述反应仓(1)内壁底表面固定安装有一号反应槽(13)、二号反应槽(14)和三号反应槽(15)；所述移动模块(2)固定安装在反应仓(1)内壁的侧表面顶部；所述抓取模块(3)安装在移动模块(2)上，所述储料筒(4)用于存放晶圆(16)；抓取模块(3)用于对储料筒(4)进行抓取；

所述一号反应槽(13)通过一号电磁阀(17)与二号反应槽(14)连接；所述二号反应槽(14)通过二号电磁阀(18)与三号反应槽(15)连接；所述三号反应槽(15)的内壁上设有三号喷头(51)、其用于将二号反应槽(14)中的刻蚀液喷射到三号反应槽(15)中的储料筒(4)上；

所述二号反应槽(14)的内壁上设有二号喷头(52)、其用于将一号反应槽(13)中的刻蚀液喷射到二号反应槽(14)中的储料筒(4)上；

所述储料筒(4)包括三号筒体(41)，一号支撑架(42)，夹持板(43)和储料板(44)；所述夹持板(43)通过一号支撑架(42)固定安装在三号筒体(41)的顶表面，夹持板(43)形状为圆环形，夹持板(43)用于配合抓取模块(3)使用；所述储料板(44)设于三号筒体(41)的内壁上，储料板(44)能够从三号筒体(41)内壁上拆卸；储料板(44)用于存放晶圆(16)；所述三号筒体(41)的表面设有三号开口(45)；三号开口(45)用于将刻蚀液输送至储料板(44)上；

所述储料板(44)上设有四号通孔(46)和四号开口(47)；所述四号通孔(46)用于使刻蚀液能够穿过储料板(44)；所述四号开口(47)安装有夹持单元，夹持单元用于对晶圆(16)进行夹持；所述夹持单元包括多个夹持部件(48)。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆离子注入方法，其特征在于：所述移动模块(2)包括一号滑块(21)、固定杆(22)、固定板(23)、滑动伸缩杆(24)、一号安装座(25)、多级气压杆(26)、安装板(27)和连接架(28)，所述反应仓(1)的顶板内壁上设有一号滑槽(29)，所述一号滑块(21)用于在一号滑槽(29)中滑动；所述固定板(23)的顶表面通过固定杆(22)与一号滑块(21)固定连接；所述固定板(23)的侧表面通过滑动伸缩杆(24)安装在反应仓(1)的内壁上；所述多级气压杆(26)通过一号安装座(25)固定安装在固定板(23)的底表面；所述多级气压杆(26)的底端通过安装板(27)与连接架(28)固定连接；所述连接架(28)用于固定连接抓取模块(3)。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆离子注入方法，其特征在于：所述抓取模块(3)包括一号支撑板(31)、一号支撑杆(32)、圆形筒(33)和伸缩单元(34)；所述一号支撑板(31)通过二号支撑架与圆形筒(33)的顶表面固定连接；圆形筒(33)内部设有伸缩单元(34)，伸缩单元(34)通过转轴与一号电机(35)连接；伸缩单元(34)用于对储料筒(4)进行抓取。

4.根据权利要求3所述的一种晶圆离子注入方法，其特征在于：所述伸缩单元(34)包括导杆(61)、固定块(62)、限位块(63)和转动盘(64)，所述圆形筒(33)的侧壁上呈圆周排列的方式均匀设有二号开口(65)；所述固定块(62)固定安装在导杆(61)的侧壁上，导杆(61)位于二号开口(65)中；所述二号开口(65)和固定块(62)之间设有弹簧；所述转动盘(64)通过转轴与一号电机(35)固定连接，转动盘(64)的外壁与导杆(61)的一端接触；所述转动盘(64)为凸轮盘；所述限位块(63)固定安装在圆形筒(33)的内壁中，限位块(63)用于对导杆(61)进行限位。

5.根据权利要求4所述的一种晶圆离子注入方法，其特征在于：所述多个夹持部件(48)的数量为六至九个；夹持部件(48)包括固定柱(71)，连接杆(72)，二号滑块(73)和一号弹簧(74)；固定柱(71)的侧表面与分别两个连接杆(72)的一端铰接，两个连接杆(72)中每一个连接杆(72)的另一端铰接在二号滑块(73)上，两个连接杆(72)之间固定连接有一号弹簧(74)。