1.基于光电器件的静态随机存取存储单元，其特征在于：

所述基于光电器件的静态随机存取存储单元的结构主要由衬底上集成的激光二极管、光敏二极管以及光隔离墙、光学通路、放电电阻、电源引线、光纤传输线组成；

其中，所述光敏二极管有4个分别为PD1 PD4，激光二极管有2个分别为LD1、LD2；PD1的N~端与VDD相连，P端与LD1的P端相连；LD1的N端连接0.5VDD；LD2的N端连接0.5VDD，P端连接D4的P端，PD2的N端连接VDD；PD4的N端连接着VDD，P端通过Res连接到GND；PD3的N/P两端分别连接着节点1和2；

所述LD3上方设置有Read的光纤及其连接孔，所述PD4上方设置有Write‑1的光纤及其连接孔，所述PD3上方设置有Write‑2的光纤及其连接孔；

Read端口读取存储单元内的信息，存储单元处于存储状态时，Write‑1=Write‑2=0；存储单元写入1时，Write‑1=1，Write‑2=0；存储单元写入0时，Write‑1=0，Write‑2=1。

2.根据权利要求1所述的基于光电器件的静态随机存取存储单元，其特征在于：在整个器件顶部由不透光的覆盖层覆盖，覆盖层上保留数个光纤接入连接孔和导线互联的通孔，所述覆盖层的材料选自未掺杂的单晶硅、多晶硅、碳化硅。

3.根据权利要求1所述的基于光电器件的静态随机存取存储单元，其特征在于：激光二极管LD1与光敏二极管PD1之间、有单晶硅制的光学隔离墙，光学隔离墙由覆盖层提供；激光二极管LD2与光敏二极管PD2之间有单晶硅制的光学隔离墙，光学隔离墙由覆盖层提供。

4.根据权利要求1所述的基于光电器件的静态随机存取存储单元，其特征在于：激光二极管LD1与光敏二极管PD2之间、激光二极管LD2与光敏二极管PD1之间均设有二氧化硅制成的光学通路。

5.根据权利要求1所述的基于光电器件的静态随机存取存储单元，其特征在于：金属互联线路材料选自铝、铜、钨、钛。

6.根据权利要求1所述的基于光电器件的静态随机存取存储单元，其特征在于：所述激光二极管用于产生激光，所述光敏二极管用于感应激光，两者波长均涵盖红外到紫外，反应时间均涵盖飞秒到纳秒。

7.基于光电器件的静态随机存取存储单元的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：a) 提供一未掺杂的衬底；

b) 在所述衬底上刻蚀LD1与PD2之间以及LD2与PD1之间的光学通路部分，刻蚀完毕后通过CVD淀积二氧化硅，淀积完毕后进行表面平面化处理；

c) 在所述衬底上制备感光二极管器件PD1 PD4；

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d) 在所述衬底上制备激光二极管器件LD1、LD2；

e) 在所述衬底上制备放电电阻Res；

f) 在所述衬底上淀积覆盖层，并在覆盖层上刻蚀金属引线通孔以及光纤连接孔；

g) 在所述金属引线通孔处设置欧姆接触并淀积金属，在所述光纤连接孔处填充氮化硅；

h) 在所述覆盖层上方再次覆盖一层未掺杂的单晶硅，通过刻蚀以及淀积形成金属互联，同时刻蚀单晶硅的光纤连接孔；

i) 去除光纤连接孔处的氮化硅，引入光纤与外围电路相连，存储单元制备完成。