1.一种制造静态随机存取存储器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成图案化的第一栅极部分，使得相邻的第一栅极部分之间具有第一间隔区域；

在所述第一栅极部分之上以及所述第一间隔区域中沉积栅极材料；以及对所述栅极材料进行选择性刻蚀，从而形成第二栅极部分，其中所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除，从而在所述第一栅极部分与所述第二栅极部分之间形成第二间隔区域，其中所述第一间隔区域的尺寸大于所述第二间隔区域的尺寸。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基底上形成图案化的第一栅极部分的步骤包括：在所述基底上沉积一层栅极材料；以及

利用图案化的第一掩膜对所述栅极材料进行刻蚀。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对栅极材料进行选择性刻蚀的步骤包括：利用图案化的第二掩膜对栅极材料进行刻蚀，使得所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对栅极材料进行选择性刻蚀的步骤包括：利用图案化的第二掩膜对所述栅极材料进行刻蚀，使得所述栅极材料的一部分从所述第一间隔区域中去除。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，在利用图案化的第二掩膜对所述栅极材料进行刻蚀的步骤中，还使得覆盖在所述第一栅极部分上的栅极材料的至少一部分被去除。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一栅极部分与第二栅极部分由相同的栅极材料构成。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极材料是半导体或金属。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅极部分与第二栅极部分共同构成所述静态随机存储存储器的栅极线，所述第二间隔区域是相邻的栅极线的端点之间的间隔区域。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法制造的静态随机存取存储器。