1.调控SiC纳米阵列密度的方法，其特征在于：包括如下步骤，

1)前躯体准备；基体准备；

2)催化剂沉积：在准备好的基体表面沉积催化剂层，通过调节催化剂层的厚度实现对SiC纳米阵列的阵列密度的调控，其中催化剂层的厚度范围为40-100nm，纳米线的阵列密度为(5.0-6.0)×107根/cm2，所述催化剂层为金层或者铁层或者镍层或者镧层；

3)将沉积有催化剂层的基体以及前躯体共同于烧结氛围中烧结，前躯体热解在基体表面形成SiC纳米阵列。

2.根据权利要求1所述的调控SiC纳米阵列密度的方法，其特征在于：步骤1)中所述前躯体为含有Si和C元素的聚合物。

3.根据权利要求1所述的调控SiC纳米阵列密度的方法，其特征在于：步骤1)中所述前躯体准备为将前躯体经过烧结后粉碎得到，其中烧结工艺为将前躯体在保护氛围下于200-

300℃热解保温20-60min。

4.根据权利要求1所述的调控SiC纳米阵列密度的方法，其特征在于：步骤1)中所述基体准备为将基体经至少一次清洗去除基体表面杂质。

5.根据权利要求4所述的调控SiC纳米阵列密度的方法，其特征在于：步骤1)中所述基体准备中的基体清洗为将基体置于酮类溶剂或水或醇类溶剂中超声清洗，超声清洗时间5-

20min。

6.根据权利要求5所述的调控SiC纳米阵列密度的方法，其特征在于：步骤1)中所述基体准备中的基体清洗为将基体依次置于酮类溶剂、水和醇类溶剂中超声清洗，超声清洗时间5-20min。

7.根据权利要求1所述的调控SiC纳米阵列密度的方法，其特征在于：步骤3)中所述烧结温度为1350-1750℃，烧结时间为10-120min。

8.根据权利要求1所述的调控SiC纳米阵列密度的方法，其特征在于：步骤3)中所述烧结为在保护气氛下进行。