1.一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，所述自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器从上到下依次为源漏电极（1）、有机光敏半导体层（2）、栅绝缘层（4）和衬底（5），其特征在于：所述有机光敏半导体层（2）和栅绝缘层（4）之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层（3），所述混合聚合物自阻挡薄膜层（3）中的聚合物选自聚乙烯咔唑PVK、聚苯乙烯PS、聚甲基丙烯酸甲脂PMMA中的两种，所述混合聚合物自阻挡薄膜层（3）厚15-25nm，混合聚合物薄膜的粒子尺径达到纳米级别。

2.根据权利要求1所述的自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述源漏电极（1）采用的材料选自金属或有机导体材料，其厚度为60 100 nm，其制备方法为磁~控溅射法、喷墨打印法或真空蒸镀法，所述源漏电极（1）采用的材料选自铜或金。

3.根据权利要求1所述的自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述有机光敏半导体层（2）采用的材料选自并五苯、并四苯、酞菁铜、氟化酞菁铜、红荧烯、3-己基噻吩或并三苯，所述有机光敏半导体层（2）采用真空蒸镀法成膜，有机光敏半导体层（2）的厚度为30 50 nm。

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4.根据权利要求1所述的自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述栅绝缘层（4）采用的材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆或聚乙烯吡咯烷酮PVP，栅绝缘层（4）的厚度为50 300 nm；所述衬底（5）选自高掺杂硅片、玻璃片或塑料PET。

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5.根据权利要求1所述的自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述衬底（5）上设有栅电极，所述栅电极采用的材料选自高掺杂硅、铝、铜、银、金、钛或钽。

6.一种制备权利要求1-5任一所述的自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：配置两种聚合物溶液，将两种聚合物分别溶于甲苯、氯苯、三氯甲烷或氯仿，浓度均为5 mg/mL，静置分散均匀后混合得到混合聚合物溶液；

第二步：在衬底（5）上依次形成栅电极和栅绝缘层（4），制成基片，基片依次用丙酮、乙醇、去离子水各超声清洗10min，超声频率为100 KHz，再用高纯氮气将基片表面液体吹干以保证基片表面洁净，之后放入120℃的烘箱中烘干；

第三步：将烘干后的洁净基片使用紫外臭氧处理3 5 min；

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第四步：在空气中，将第三步中制备的基片上面旋涂第一步配制好的混合聚合物溶液，旋涂转速为3000 r/min，旋涂时间30s，厚度为15 25 nm，形成混合聚合物自阻挡薄膜层~（3），在空气中，将旋涂好的基片放在80℃的烘箱里干燥退火30 min；

第五步：在第四步中制备好的混合聚合物自阻挡薄膜层（3）上面依次真空蒸镀有机光敏半导体层（2）和源漏电极（1）。

7.根据权利要求6所述的自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于：所述第五步所述真空蒸镀有机光敏半导体层（2）材料为并五苯，蒸镀速率为1Å/s，真空度控制在5×10-4 pa以下，采用晶振控制厚度在30 50nm；在制备的有机光敏半导体层~（2）表面加上掩模板进行图案化处理，第五步所述真空蒸镀的源漏电极（1）材料为铜或金，蒸镀速率0.5 Å/s，控制厚度在60 100nm；所述掩模板的沟道宽度为2000 μm，长度为100 μ~m。