1.一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，包含在半导体层上通过真空蒸镀工艺形成的源极、漏极，半导体层以下依次为隧穿层、浮栅层、电荷阻挡层、栅电极和柔性塑料衬底，其特征在于，所述的电荷阻挡层采用的是高绝缘性交联聚合物，并且通过小分子掺杂工艺和溶液加工的方式在电荷阻挡层的上表面形成一个隔离层，同时实现浮栅层和隧穿层的功能。

2.根据权利要求1所述的浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，其特征在于所述高绝缘性交联聚合物的溶液是通过采用酸酐类化合物作交联剂与聚对乙烯基苯酚进行交联反应形成的。

3.根据权利要求1所述的浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，其特征在于所述小分子为富勒烯。

4.根据权利要求3所述的浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器，其特征在于所述小分子掺杂工艺还使用了光稳定剂944，其与富勒烯混合来实现电荷的写入与擦除。

5.一种制备根据权利要求1所述的浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的方法，其特征在于包含如下步骤：(1)配置高绝缘性交联聚合物溶液：采用酸酐类化合物作交联剂与聚对乙烯基苯酚进行交联反应，选用高溶解度含酯溶剂和基于该聚合物单体的有机碱做催化剂，配置成浓度为20mg/ml的交联聚合物溶液；

(2)配置浮栅和隧穿层的混合溶液：将富勒烯C60与光敏剂944以及聚苯乙烯按照一定的比例溶于甲苯溶剂中，聚苯乙烯的浓度5mg/ml；

(3)选择150μm塑料PET衬底作为基片，将基片清洗干净后蒸镀厚度约为250nm的铝电极；

(4)在铝电极表面旋涂步骤(1)配置好的20mg/ml的交联聚合物溶液，厚度约为30-

40nm，然后在其上旋涂作为浮栅层和隧穿层的混合溶液，厚度为15-20nm；

(5)将旋涂完的片子放入真空烘箱中退火2小时，再冷却1小时取出；

(6)在绝缘层上真空蒸镀半导体材料和源漏电极。

6.根据权利要求5所述的浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述高绝缘性交联聚合物溶液为聚对乙烯基苯酚，交联剂为4,4'-(六氟异亚丙基)二酞酸酐，所述溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯，所述催化剂为三乙胺。

7.根据权利要求5所述浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述的旋涂工艺主要是先旋涂交联聚合物聚对乙烯基苯酚溶液4000转1分钟后，再继续旋涂富勒烯C60与光敏剂944以及聚苯乙烯的混合溶液3000转40秒。

8.根据权利要求5所述浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，步骤(6)所述真空蒸镀半导体材料为并五苯，蒸镀速率为 真空度控制在5×10-4pa以下，采用晶振控制厚度在50-70nm；步骤(6)所述真空蒸镀源漏电极为铜，蒸镀速率为 真空度控制在5×10-4pa以下，采用晶振控制厚度在30-40nm。