1.斜抛光纤折射率传感器的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：

a)对两片硅片进行清洁，依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗5分钟，然后用氮气吹干；

b)V型光纤槽阵列的制作：首先对其中一片硅片进行双面氧化，单面沉积氮化硅，形成保护层；再制作掩膜板，光刻开窗，选择性去除保护层，形成V型光纤槽阵列图案；接着用KOH溶液进行硅片湿法腐蚀，控制反应时间得到光纤槽所需深度；最后去除氧化硅和氮化硅保护膜；

c)胶体晶体膜的制作：配制 胶体微球溶液，微球直径偏差/平均直径×100 ％<0.2％，质量百分比浓度为2％～6％，溶剂为水和乙醇；将另一片干燥好的硅片垂直放置在盛有胶体微球溶液的玻璃瓶中，硅片的端面处于液体中心位置，且与溶液液面保持相互垂直；然后将玻璃瓶置于真空干燥箱中，在一定的温度、湿度和真空度的条件下，采用垂直沉积法在硅片表面涂覆胶体晶体；最后在恒温恒压条件静置48小时左右，再在恒温恒湿条件下干燥；

d)将步骤b)和c)制备好的V型光纤槽阵列和胶体晶体膜粘贴固定；

e)对单模光纤的端面进行45度的抛磨，然后将排好的单模光纤阵列压入与之排布方式对应的V型光纤槽阵列中，单模光纤的45度斜面朝上，且单模光纤的轴线与胶体晶体膜的平面保持平行；然后向V型光纤槽中注入紫外粘结剂，盖上玻璃盖板并将单模光纤压紧在V型光纤槽内，用紫外灯照射使粘结剂固化。

2.根据权利要求1所述斜抛光纤折射率传感器的制作方法，其特征在于，所述步骤e)中，利用磁控溅射镀膜机在抛磨好的单模光纤的45度斜面上镀一层金属薄膜。

3.根据权利要求2所述斜抛光纤折射率传感器的制作方法，其特征在于，所述金属薄膜为银膜，厚度为50nm。

4.根据权利要求1至3之一所述斜抛光纤折射率传感器的制作方法，其特征在于，所述步骤e)完成后，将固定好的单模光纤阵列以等间距的V型光纤槽为基准，切割为相同大小的单个传感部件，并进行封装。