1.一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器，包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底，其特征在于，所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间还设有纳米柱薄膜层，所述纳米柱薄膜层的材料为溶解度高且疏水性强的大分子，所述大分子为风车格子，所述第二类栅绝缘层为亲水性的化合物，所述化合物为三羟甲基丙烷；

纳米柱薄膜层的厚度为15～25nm；所述第一类栅绝缘层的材料为二氧化硅，厚度为

300nm；所述有机半导体层的材料为并五苯；所述源漏电极的材料为金。

2.根据权利要求1所述的纳米柱结构有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述有机半导体层并五苯采用热真空蒸镀成膜法成膜，蒸镀速率为 真空度控制在6×10-4pa-6×10-5pa，采用晶振控制厚度在40～50nm；所述源漏电极金的制备方法为热真空蒸镀法，蒸镀速率为 真空度控制在6×10-4pa-10-5pa，采用晶振控制厚度在60-80nm。

3.根据权利要求1所述的纳米柱结构有机场效应晶体管存储器，其特征在于，所述衬底为高掺杂硅片，所述栅电极为高掺杂硅。

4.一种如权利要求1-3任一所述的纳米柱结构有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)配置亲水性的化合物和疏水性的大分子溶液，溶于低沸点溶剂，浓度均为3mg/ml，将二者按照体积比5:1的比例混合，进行超声处理；

(2)选择衬底材料作为基片，并在衬底上形成栅电极和第一类栅绝缘层，第一类栅绝缘层薄膜的厚度为50～300nm，清洗干净基片后烘干；

(3)将烘干后的洁净基片紫外臭氧处理3～5min；

(4)将步骤(3)中制备的基片上面旋涂步骤(1)配置好的混合溶液，厚度为15-25nm，将旋涂好的样品于干燥箱中80℃干燥；

(5)在步骤(4)中干燥后的样品上面真空蒸镀半导体层和源漏电极。

5.根据权利要求4所述的纳米柱结构有机场效应晶体管存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的低沸点溶剂为甲苯，且需除水处理；所述步骤(4)中的旋涂过程在空气中进行，湿度控制在70％以下。