1.一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括有以下步骤：

1)多孔碳化硅素胚的比例设计

A、有机粘接剂残炭量测定，将选用的单位质量有机粘接剂置于1200℃高温下，使其充分碳化，计算前后质量变化，其差值为每单位质量残碳量X；

B、原材料的选取，各组分金属硅粉质量为MSi、膨胀石墨质量为MC、有机粘结剂质量为MX，按照MSi/28＝MC/12+X·MX/12，的比例关系选取备用；

C、多孔碳化硅素胚的混合，将膨胀石墨和有机粘结剂混合均匀后，再加入金属硅粉并混合均匀；

2)多孔碳化硅陶瓷的素胚成型

将混合均匀的膨胀石墨、有机粘结剂和金属硅粉放入模具中，施加压力，控制素胚成型体积，得到多孔碳化硅陶瓷的素胚；素胚成型体积计算方法是：将膨胀石墨、有机粘结剂和金属硅粉的总质量记为M总，根据R设＝(1-ρ设/ρSiC)和V设＝M总/ρ设，求出在设计孔隙率和该总质量M总下，素胚成型应控制的体积V设；其中，设计孔隙率为R设，碳化硅的密度为ρSiC，素胚成型的密度为ρ设；

3)多孔碳化硅陶瓷的烧制

将多孔碳化硅陶瓷的素胚放入高温炉中，抽真空或充入惰性气体，升温至到

1800-2000℃，保温15-45分钟，自然冷却至室温，得到所需要的多孔碳化硅陶瓷。

2.根据权利要求1所述的孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于所述的有机粘接剂为任意仅含有C、H、O、N元素的粘结剂。

3.根据权利要求1所述的孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于所述的有机粘接剂为聚氨酯、环氧树脂或丙烯酸酯。

4.根据权利要求1所述的孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于所述的金属硅粉平均粒径＜100μm，硅含量＞98％。