1.一种纯碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：

1)碳化硅素坯的成型

A1、原材料选取：碳化硅粉Ⅰ、碳化硅粉Ⅱ、低密度聚乙烯、邻苯二甲酸二丁酯按质量比

100:10-15:4-8:0.1-0.4选取备用；

B1、原材料混合：按比例选取的原材料在120℃的温度下混合形成均匀的混合物；

C1、碳化硅素坯的成型：将步骤B1所得的混合物放入挤出成型机，成型为多通道管状素坯；所述的碳化硅粉Ⅰ平均粒径为70-90μm，纯度大于98％；碳化硅粉Ⅱ平均粒径为

3-5μm，纯度大于98％；低密度聚乙烯的软化点80-90℃；

2)碳化硅膜层的涂覆

A2、碳化硅膜层浆液制备：水、碳化硅粉Ⅲ、碳化硅粉Ⅵ、纤维素醚按质量比

100:30-40:3-5：0.08-0.4混合均匀，制得碳化硅膜层浆液；

B2、碳化硅膜层的涂覆：将膜层浆液注入按步骤1)制备的多通道管状素坯的通道中，流动15-25s，制得碳化硅坯体；所述的碳化硅粉Ⅲ平均粒径为10-20μm，纯度大于98％；碳化硅粉Ⅵ平均粒径为1-4μm，纯度大于98％；纤维素醚为羟甲基纤维素醚或羟乙基纤维素醚，分子量为20000；

3)纯碳化硅多孔陶瓷的烧结

A3、干燥：将步骤2)制备的碳化硅坯体置于烘箱中干燥；

B3、烧结：将通过步骤A3干燥后的试件置于空气气氛炉中保温，再置于真空炉内保温，最后随炉冷却至室温，制得纯碳化硅多孔陶瓷膜材料。

2.根据权利要求1所述的一种纯碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，其特征在于步骤3)所述的干燥温度为105-120℃，干燥时间3-4h。

3.根据权利要求1所述的一种纯碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，其特征在于空气气氛炉中保温温度为550-650℃，保温时间为2-5h；真空炉内保温温度为2000-2200℃，保温时间为1-5h。