1.一种氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：

1)素胚的成型

A1、原材料选取：金属硅粉、碳化硅粉、低密度聚乙烯、邻苯二甲酸二丁酯、氧化钇按质量比100:10-30:5-10：0.1-0.4：3-4选取备用；

B1、原材料混合：按比例选取的原材料在120℃的温度下混合形成均匀的混合物；

C1、素胚的成型：将步骤B1所得的混合物放入挤出成型机，成型为多通道管状素胚；

2)膜层的涂覆

A2、膜层浆液制备：水、金属硅粉、碳化硅粉、纤维素醚、氧化钇按质量比

100:30-40:15-20：0.1-0.5：4-5混合均匀，制得膜层浆液；

B2、膜层的涂覆：将膜层浆液注入按步骤1)制备的多通道管状素胚的通道中，流动

20-30s，制得碳化硅胚体；

3)烧结

A3、干燥：将步骤2)制备的碳化硅胚体置于的烘箱中干燥，再置于烘箱中干燥；

B3、烧结：将通过步骤A3干燥后的试件置于空气气氛炉中保温，再置于氮气气氛炉内保温，最后随炉冷却至室温，制得氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜材料。

2.根据权利要求1所述的氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，其特征在于步骤

3)所述干燥温度为40-60℃，干燥时间为1-2h。

3.根据权利要求1所述的氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，其特征在于空气气氛炉保温温度为500-600℃，保温时间为2-3h；氮气气氛炉内保温温度为1300-1500℃，保温时间为3-5h。

4.根据权利要求1或2或3所述的氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，其特征在于步骤1)中所述的碳化硅粉和金属硅粉平均粒径为80-100μm，纯度大于98％；；低密度聚乙烯的软化点80-90℃。

5.根据权利要求1或2或3所述的氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，其特征在于步骤2)中所述的碳化硅粉、金属硅粉平均粒径为1-10μm，纯度大于98％；纤维素醚为羟甲基纤维素醚或羟乙基纤维素醚，分子量为20000。