1.一种晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，包括如下步骤：

S1、缺陷检查步骤：在某批次晶圆光刻工艺结束后，从该批次晶圆中抽选N片晶圆，对被抽选晶圆上的缺陷进行全片扫描，获得所述被抽选晶圆的缺陷信息；所述缺陷信息包括缺陷的位置信息和尺寸信息；

S2、缺陷分析步骤：比较所述被抽选晶圆缺陷的位置信息和尺寸信息；

若被抽选晶圆上均存在位置信息和尺寸信息一致的缺陷，则判定该批次晶圆在光刻工艺中存在重复性光刻缺陷；

若被抽选晶圆上不存在位置信息一致的缺陷，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷；

若所有被抽选晶圆上存在位置信息一致、但尺寸信息不一致的缺陷，且该缺陷在光刻前的同一晶圆上已存在，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷；

若所有被抽选晶圆上存在位置信息一致、但尺寸信息不一致的缺陷，且该缺陷在光刻前的同一晶圆上不存在，同时，该缺陷的尺寸信息相似度大于等于预设相似度，则判定该批次晶圆在光刻工艺中存在重复性光刻缺陷；

若所有被抽选晶圆上存在位置信息一致、但尺寸信息不一致的缺陷，且该缺陷在光刻前的同一晶圆上不存在，同时，该缺陷的尺寸信息相似度小于预设相似度，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷。

2.根据权利要求1所述的晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，其特征在于，所述S2步骤前还包括如下步骤：SA、预处理步骤：从所述被抽选晶圆的缺陷信息中得到被抽选晶圆缺陷的位置信息和尺寸信息。

3.根据权利要求1所述的晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，其特征在于，步骤S2具体包括如下步骤：S2A、位置、尺寸比较步骤：先判断被抽选晶圆上是否存在位置信息和尺寸信息均一致的缺陷，如果结果为是，则判定其该被检查分析的批次晶圆中存在重复性光刻缺陷，如果结果为否，则进入步骤S2B；

S2B、缺陷位置信息比较步骤：判断被抽选晶圆上是否存在缺陷位置信息一致的缺陷，如果结果为否，则判定该批次晶圆中无重复性光刻缺陷；如果结果为是，则进入步骤S2C；

S2C、同一晶圆缺陷比较步骤：获取所述被抽选晶圆在光刻前的缺陷信息，然后判断该位置信息一致的缺陷是否在光刻前的同一晶圆上已存在，如果结果为是，则判定该缺陷非重复性光刻缺陷，即判定该批次晶圆中无重复性光刻缺陷；如果结果为否，则进入步骤S2D；

S2D、缺陷尺寸相似度比较步骤：判断位置信息一致的缺陷的尺寸信息相似度是否大于等于预设相似度，如果结果为是，则判定该批次晶圆中存在重复性光刻缺陷；如果结果为否，则判定该批次晶圆中无重复性光刻缺陷。

4.根据权利要求1所述的晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，其特征在于，步骤S2具体包括如下步骤：S21、缺陷位置信息比较步骤：将被抽选晶圆缺陷的位置信息进行相互比较，判断被抽选晶圆上是否存在位置信息一致的缺陷，若结果为否，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷；若结果为是，则进入步骤S22；

S22、缺陷尺寸信息比较步骤：将被抽选晶圆上位置信息一致的缺陷的尺寸信息进行相互比较，判断该缺陷的尺寸信息是否一致；若结果为是，则判定该批次晶圆在光刻工艺中存在重复性光刻缺陷；若结果为否，则进入步骤S23；

S23、同一晶圆缺陷比较步骤：获取所述被抽选晶圆在光刻前的缺陷信息，将同一晶圆上光刻后的位置信息一致、但尺寸信息不一致的缺陷与所述光刻前的缺陷进行比较，判断该缺陷是否在光刻前的同一晶圆上已存在；若结果为是，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷；若结果为否，则进入步骤S24；

S24、缺陷尺寸相似度比较步骤：取所述被抽选晶圆上位置信息一致、但尺寸信息不一致的缺陷，将被抽选晶圆上该缺陷的尺寸信息进行相互比较；判断该缺陷的尺寸信息相似度是否大于等于预设相似度，若结果为是，则判定该批次晶圆在光刻工艺中存在重复性光刻缺陷；若结果为否，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷。

5.根据权利要求3或4所述的晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，其特征在于，所述预设相似度为50％-70％。

6.根据权利要求1所述的晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，其特征在于，所述步骤S1中被抽选的晶圆片数N为2-6。

7.根据权利要求6所述的晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，其特征在于，所述被抽选晶圆片数为3片，分别从光刻工艺中的前、中、后位置抽选出。

8.根据权利要求1所述的晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，其特征在于，所述位置信息一致指缺陷在晶圆上的坐标相同；所述尺寸信息一致指缺陷在晶圆上的X方向大小、Y方向大小和有效面积相同。

9.根据权利要求1所述的晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述“对被抽选晶圆上的缺陷进行全片扫描”具体通过KLA扫描机对被抽选晶圆上的缺陷进行全片扫描。

10.根据权利要求1所述的晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法，其特征在于，在所述步骤S2中，若判定该批次晶圆在光刻工艺中存在重复性光刻缺陷，则将所述重复性光刻缺陷的位置信息和尺寸信息显示给检查分析人员。

11.一种晶圆生产方法，包括如下步骤：某批次晶圆在光刻工艺结束后，对其进行重复性光刻缺陷检查分析；

若无重复性光刻缺陷，则继续进行后续生产；

若存在重复性光刻缺陷，则产品按异常生产处理，暂停光刻工艺，消除该重复性光刻缺陷后继续生产；

其特征在于，所述“对其进行重复性光刻缺陷检查分析”采用权利要求1-10中任意一项所述的晶圆重复性光刻缺陷检查分析方法实现。

12.一种晶圆重复性光刻缺陷检查分析系统，其特征在于，包括如下模块：

缺陷检查模块，用于在某批次晶圆光刻工艺结束后，从该批次晶圆中抽选N片晶圆，对被抽选晶圆上的缺陷进行全片扫描，获得所述被抽选晶圆的缺陷信息；所述缺陷信息包括缺陷的位置信息和尺寸信息；

缺陷分析模块，用于比较所述被抽选晶圆缺陷的位置信息和尺寸信息；

若被抽选晶圆上均存在位置信息和尺寸信息一致的缺陷，则判定该批次晶圆在光刻工艺中存在重复性光刻缺陷；

若被抽选晶圆上不存在位置信息一致的缺陷，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷；

若所有被抽选晶圆上存在位置信息一致、但尺寸信息不一致的缺陷，且该缺陷在光刻前的同一晶圆上已存在，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷；

若所有被抽选晶圆上存在位置信息一致、但尺寸信息不一致的缺陷，且该缺陷在光刻前的同一晶圆上不存在，同时，该缺陷的尺寸信息相似度大于等于预设相似度，则判定该批次晶圆在光刻工艺中存在重复性光刻缺陷；

若所有被抽选晶圆上存在位置信息一致、但尺寸信息不一致的缺陷，且该缺陷在光刻前的同一晶圆上不存在，同时，该缺陷的尺寸信息相似度小于预设相似度，则判定该批次晶圆在光刻工艺中无重复性光刻缺陷。

13.根据权利要求12所述的晶圆重复性光刻缺陷检查分析系统，其特征在于，还包括一预处理模块，用于从所述被抽选晶圆的缺陷信息中得到被抽选晶圆缺陷的位置信息和尺寸信息。