1.一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：提供具有GaN层的氮化物半导体发光器件；

使所述氮化物半导体发光器件与氢分离金属接触；

使氮化物半导体发光器件和氢分离金属振动；和从氮化物半导体发光器件的GaN层除去氢并且从氮化物半导体发 光器件分离氢分离金属；

其中加工温度为400℃或更低。

2.根据权利要求1的方法，还包括在振动步骤后，供应氢气以加速氢 结合反应的步骤。

3.根据权利要求1的方法，其中所述氢分离金属是选自元素周期表中 II族～V族的金属。

4.根据权利要求1的方法，其中所述氢分离金属是包含元素周期表中 II族～V族的第一元素和元素周期表中VI族～VIII族的第二元素的 金属合金。

5.根据权利要求1的方法，其中除去氢使得GaN层中的空穴密度增 高。

6.根据权利要求1的方法，其中所述振动步骤通过超声波振动仪实施。

7.根据权利要求1的方法，其中所述振动步骤是活化GaN层中氢的 步骤。

8.根据权利要求1的方法，其中所述氮化物半导体发光器件被所述氢 分离金属包围并且与所述氢分离金属接触。

9.一种氮化物半导体发光器件，包含：衬底；

在衬底上形成的第一GaN层；

在第一GaN层上形成的有源层；

在有源层上形成的第二GaN层，其中的氢在400℃或更低的温度 下通过与氢分离金属接触而除去。

10.一种氮化物半导体发光器件，包含：衬底；

在所述衬底上形成的第一GaN层；

在所述第一GaN层上形成的有源层；

在所述有源层上形成的第二GaN层，其中在所述第二GaN层中 的氢通过振动活化并且与氢分离金属接触而除去。