1.一种制造氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：提供具有GaN层的氮化物半导体发光器件；

使所述氮化物半导体发光器件与氢分离金属接触；

使氮化物半导体发光器件和氢分离金属振动；

从氮化物半导体发光器件的GaN层除去氢并且从氮化物半导体发 光器件分离氢分离金属。

2.根据权利要求1的方法，还包括在振动步骤后，供应氢气以加速氢 结合反应的步骤。

3.根据权利要求1的方法，其中所述氢分离金属是选自元素周期表中 II族～V族的金属。

4.根据权利要求1的方法，其中所述氢分离金属是包含元素周期表中 II族～V族的第一元素和元素周期表中VI族～VIII族的第二元素的 金属合金。

5.根据权利要求1的方法，其中加工温度为400℃或更低。

6.根据权利要求1的方法，其中除去氢使得GaN层中的空穴密度增 高。

7.根据权利要求1的方法，其中所述振动步骤通过超声波振动仪实施。

8.根据权利要求1的方法，其中所述振动步骤是活化GaN层中氢的 步骤。

9.根据权利要求1的方法，其中所述氮化物半导体发光器件被氢分离 金属包围并且与氢分离金属接触。

10.一种氮化物半导体发光器件，包含：衬底；

在衬底上形成的第一GaN层；

在第一GaN层上形成的有源层；

在有源层上形成的第二GaN层，其中的氢被低温除去。

11.根据权利要求10的器件，其中所述低温为400℃或更低。

12.根据权利要求10的器件，其中在通过振动活化之后，与第二GaN 层中的Mg结合的氢被除去。