1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电半导体层；

光透射衬底，所述光透射衬底被布置在所述发光结构下面并且具有小于所述第一导电半导体层的折射率的折射率；以及反射镜结构层，所述反射镜结构层被布置在所述光透射衬底下面并且包括具有第一折射率的第一反射镜层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二反射镜层，其中所述第一反射镜层和所述第二反射镜层相互交替地堆叠，其中所述第一反射镜层具有W·λ/（4·n1·m）的厚度，并且所述第二反射镜层具有W·λ/（4·n2·m）的厚度，其中λ表示从所述发光结构发射的光的波长，n1和n2分别表示所述第一和第二折射率，m表示自然数，并且W表示处于1.05至1.25范围内的权重常数，其中所述第一反射镜层和所述第二反射镜层中的至少一个包括凹凸层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中多个第一反射镜层形成在所述光透射衬底下面并且具有高于所述光透射衬底的折射率的第一折射率，并且所述第二反射镜层被布置在所述多个第一反射镜层之间并且具有低于所述第一折射率的第二折射率。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一反射镜层包括从由SiO2、TiO2、MgF以及SiNx组成的组中选择的一个，并且所述第二反射镜层包括从由SiO2、TiO2、MgF以及SiNx组成的组中选择的另一个。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的发光器件，其中所述权重常数具有处于

1.1至1.2的范围内的值。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的发光器件，其中所述反射镜结构层包括重复地相互堆叠至少四次的所述第一和第二反射镜层的对。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述光透射衬底包括从由蓝宝石（Al2O3）、GaN、ZnO以及AlN组成的组中选择的一个。

7.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述发光结构的至少一层包括具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1）的组成式的化合物半导体材料，并且从所述发光结构发射的光的主波长是450nm-470nm。

8.根据权利要求5所述的发光器件，进一步包括：

在所述第一导电半导体层上的第一电极；

在所述第二导电半导体层上的电流扩展层；以及

在所述电流扩展层上的第二电极。

9.根据权利要求5所述的发光器件，进一步包括在所述光透射衬底的顶表面上形成的第一光提取结构和在所述光透射衬底的下表面上形成的第二光提取结构，其中所述反射镜结构层的下表面由平坦的表面形成，并且所述反射镜结构层的顶表面由不平坦的表面形成。

10.根据权利要求5所述的发光器件，其中在所述反射镜结构层中的所述第一和第二折射率之间的差是1或者更大。

11.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一和第二反射镜层的对包括TiO2/SiO2堆叠结构、TiO2/MgF堆叠结构以及TiO2/SiOx堆叠结构中的至少一个。

12.根据权利要求5所述的发光器件，进一步包括在所述反射镜结构层下面的第一电极层和在所述发光结构上的第二电极。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述第一电极层的一部分接触所述第一导电半导体层的内部。

14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第一电极层覆盖所述反射镜结构层的下表面的面积的至少80%。

15.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述反射镜结构层的所述第一和第二折射率之间的差是1或者更大，并且所述第一和第二反射镜层之间的厚度的差处于50nm至70nm的范围内。