1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括：第一导电半导体层；有源层，所述有源层在所述第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述有源层下，所述第一导电半导体层包含n型半导体层和具有凹进；

电流阻挡区，所述电流阻挡区在所述第二导电半导体层下；

第二电极层，所述第二电极层在所述第二导电半导体层和所述电流阻挡区下；

反射电极，所述反射电极设置在所述发光结构的n型半导体层的凹进中，并且具有倾斜的底表面，所述反射电极的倾斜的底表面在垂直方向上与所述电流阻挡区叠置；以及第一电极层，所述第一电极层在所述反射电极上，所述第一电极层包括主体和突起，并且所述突起具有三角形截面形状并且与所述反射电极的倾斜的底表面相对应，其中，所述突起的至少一部分在所述垂直方向上与所述电流阻挡区叠置，以及其中，所述第二电极层接触所述电流阻挡区的底表面和侧表面以及所述第二导电半导体层的底表面的一部分。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极层包括焊盘单元和与所述焊盘单元连接的电极单元。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述突起从所述主体向着所述第一导电半导体层突出。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述突起的宽度小于所述主体的宽度。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极层在所述垂直方向上与所述第二电极层叠置。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极层的至少一部分在所述垂直方向上与所述电流阻挡区叠置。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层是具有InxAlyGa1-x-yN(

0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的化学式并且含有n型杂质的半导体层，并且所述第二导电半导体层是具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的化学式并且含有p型杂质的半导体层。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极层包括与所述第二导电半导体层接触的欧姆接触层、在所述欧姆接触层下的反射层、和在所述反射层下的导电支撑衬底。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流阻挡区具有电绝缘特性或肖特基接触特性。

10.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括：n型半导体层；有源层，所述有源层在所述n型半导体层下；以及p型半导体层，所述p型半导体层在所述有源层下，所述n型半导体层具有凹进；

电流阻挡区，所述电流阻挡区在所述p型半导体层下；

第二电极层，所述第二电极层在所述p型半导体层下；以及

第一电极层，所述第一电极层包括主体和突起，并且所述突起具有三角形截面形状，以及反射电极，所述反射电极设置在所述发光结构的n型半导体层的凹进中并且具有倾斜的底表面，所述反射电极的倾斜的底表面在垂直方向上与所述电流阻挡区叠置，其中，所述第二电极层接触所述电流阻挡区的底表面和侧表面以及所述p型半导体层的底表面的一部分。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述突起从所述主体向着所述n型半导体层突出。

12.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述突起被形成为由所述n型半导体层包围。

13.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述突起的宽度小于所述主体的宽度。

14.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述突起连续地延伸，并且包括直线形状或曲线形状。

15.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述电流阻挡区在垂直方向上与所述第一电极层叠置，并且设置在所述p型半导体层和所述第二电极层之间。

16.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第二电极层包括与所述p型半导体层接触的欧姆接触层、在所述欧姆接触层下的反射层、和在所述反射层下的导电支撑衬底。