1.一种发光器件封装，包括：

主体；

在所述主体的表面上的绝缘层；

在所述绝缘层上的第一电极层；

在所述绝缘层上的第二电极层；以及

在所述第一电极层上的发光器件，

其中所述第一电极层和所述第二电极层包括热扩散层和在所述热扩散层上的反射层，并且所述热扩散层具有是所述反射层的厚度的至少二十倍的厚度，其中所述第一电极层和所述第二电极层进一步包括：在所述热扩散层和所述绝缘层之间的晶种层；

在所述热扩散层和所述反射层之间的阻挡层；

在所述阻挡层和所述反射层之间的结合层；以及在所述结合层和所述反射层之间的粘附层，其中所述发光器件被结合到结合构件，其中所述结合构件具有比所述发光器件的下表面的面积大的面积，其中所述结合构件被结合到所述结合层，

其中所述结合层的表面粗糙小于30nm，其中所述结合层具有 的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述第一电极层和所述第二电极层包括从所述反射层突出的突起。

3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述第一电极层和所述第二电极层包括：第一区域，所述第一区域包括至少四个金属层，其中所述发光器件被布置在所述第一区域上；和在所述第一区域的外部处的第二区域，所述第二区域包括至少六个金属层。

4.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中所述发光器件被结合到所述第一电极层上并且通过布线连接到所述第二电极层。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的发光器件封装，其中所述第一电极层和所述第二电极层的厚度是所述绝缘层的厚度的至少二十倍。

6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的发光器件封装，其中所述热扩散层的厚度处于10～50μm的范围内。

7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的发光器件封装，其中所述热扩散层的厚度是所述结合层的厚度的至少66倍，其中所述结合层是包含Au的镀层。

8.根据权利要求1至3中的任意一项所述的发光器件封装，其中所述热扩散层的厚度是所述第一电极层和所述第二电极层的厚度的至少85％。

9.根据权利要求1至3中任意一项所述的发光器件封装，其中所述晶种层具有多层结构。

10.根据权利要求6所述的发光器件封装，其中所述热扩散层包括铜(Cu)，并且具有处于30μm±2μm的范围内的厚度。

11.根据权利要求1至3中的任意一项所述的发光器件封装，其中所述热扩散层包括从由Cu、Al、Au以及Ag组成的组中选择的至少一个，并且所述反射层包括从由Al、Al合金以及Ag合金组成的组中选择的至少一个。

12.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中所述主体具有腔体，所述腔体具有开放的顶表面，以及在所述腔体中形成成型构件。

13.根据权利要求12所述的发光器件封装，其中所述主体包括硅基导电材料。

14.根据权利要求12所述的发光器件封装，其中所述主体被布置有至少一个导通孔构件，所述导通孔构件通过穿过所述主体从所述主体的顶表面延伸到所述主体的下表面。

15.根据权利要求12所述的发光器件封装，其中所述成型构件覆盖所述腔体中的发光器件并且耦接到所述突起。