1.一种发光器件封装，包括：

封装主体，包括设置在上部处的腔；

绝缘层，设置在所述封装主体的表面上；

多个金属层，设置在所述绝缘层上；

发光器件，设置在所述腔中；以及

第一金属板，设置在与所述发光器件对应的位置处的所述封装主体的后表面上。

2.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括形成在所述发光器件和所述封装主体之间的第二金属板。

3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述发光器件直接接触在所述封装主体上，并且第三金属板直接接触在所述封装主体的所述后表面上。

4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述封装主体包括：第一阱，包括杂质，并电连接至所述多个金属层中的第一金属层；以及第二阱，包括杂质，并电连接至所述多个金属层中的第二金属层。

5.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中所述第一和第二阱构成反并联连接至所述发光器件的齐纳二极管。

6.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中所述封装主体还包括第三阱，所述第三阱形成在对应于所述第一金属板和所述发光器件的所述封装主体的至少一个区域中。

7.根据权利要求6所述的发光器件封装，其中所述第三阱与所述多个金属层中的所述第一和第二金属层电断开，并包括极性不同于所述封装主体的极性的杂质。

8.根据权利要求1所述发光器件封装，还包括形成在所述腔处的树脂材料和包含有磷光体的树脂材料中的至少一种。

9.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中：所述发光器件包括彩色发光二极管(LED)芯片或紫外(UV)发光二极管芯片，以及所述封装主体是硅片或导电基板。

10.一种发光器件封装，包括：

封装主体，包括腔；

多个金属层，设置在所述封装主体上；

绝缘层，设置在所述多个金属层和所述封装主体之间；

至少一个阱，形成在所述封装主体中；

发光器件，在所述腔中设置在所述封装主体上；以及第一金属板，设置在与所述发光器件对应的区域处的所述封装主体之下。

11.根据权利要求10所述的发光器件封装，还包括设置在所述封装主体和所述发光器件之间的第二金属板。

12.根据权利要求10所述的发光器件封装，其中所述至少一个阱包括杂质，并且多个所述阱形成在所述封装主体中。

13.根据权利要求10所述的发光器件封装，其中所述至少一个阱形成在所述发光器件之下的所述封装主体的区域和所述第一金属板处的所述封装主体的区域中的至少一个中。

14.根据权利要求10所述的发光器件封装，其中所述第一金属板被形成为面积大于所述发光器件的底面积。

15.根据权利要求10所述的发光器件封装，其中所述发光器件和所述第一金属板设置在所述封装主体的相反表面处。

16.根据权利要求10所述的发光器件封装，其中所述封装主体的下表面和所述第一金属板形成在同一平面上。

17.根据权利要求10所述的发光器件封装，其中所述至少一个阱和所述发光器件电连接至所述多个金属层。

18.一种发光器件封装，包括：

封装主体，包括腔，并由硅材料形成；

至少一个发光器件，在所述封装主体的所述腔中；以及第一金属板，设置在与所述发光器件对应的区域处的所述封装主体的下表面处。

19.根据权利要求18所述的发光器件封装，还包括设置在所述封装主体的表面处、以及除了对应于所述发光器件和所述第一金属板的区域之外的所述封装主体的区域处的多个金属层和电介质。

20.根据权利要求18所述的发光器件封装，其中所述区域的所述封装主体的厚度为约500μm至约2000μm。