1.一种氮化铝包覆碳化硅复合陶瓷晶须的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：将氧化硅、氧化铝、碳黑、晶须生成剂加入到球磨罐中，以去离子水作为分散介质，经球磨混合均匀，得到粘稠混合浆料A；所述晶须生成剂为冰晶石；所述氧化硅、氧化铝、碳黑和晶须生成剂的质量比为100：（20～50）：（120～160）：（5～100）；

将粘稠混合浆料A放入干燥箱中，进行烘干，得到混合粉料B；

将混合粉料B放入石墨烧结炉中，在流动的氮气下经碳热还原合成，得到氮化后的粉体C；

将氮化后的粉体C放入高温箱式炉中，除去多余的碳，得到氮化铝包覆碳化硅复合陶瓷晶须。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述氧化铝的中位径为20nm～1 m，所述氧化硅的中位径为10nm～1 m，所述碳黑的中位径为10～100nm。

3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述球磨的转速为100～250r/min,球磨时间为2～8h。

4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述粘稠混合浆料A的烘干温度为70～100℃。

5.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述碳热还原合成温度为1500～1600℃，合成时间为2～8h；其中从1200℃至合成温度之间的升温速率为2～8℃/min。

6.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述高温箱式炉的反应条件是在干燥空气中于600～700℃保温4～8h。

7.一种氮化铝包覆碳化硅复合陶瓷晶须，其特征在于，采用权利要求1‑6任一项所述方法制备得到。

8.根据权利要求7所述一种氮化铝包覆碳化硅复合陶瓷晶须，其特征在于，所述复合陶瓷晶须为由SiC晶须为芯体，AlN以颗粒或薄膜的形式包覆在SiC晶须表面。

9.根据权利要求7或8所述一种氮化铝包覆碳化硅复合陶瓷晶须，其特征在于，所述复合陶瓷晶须的晶须长度为20～200μm，直径为0.8～2.5μm，长径比为40～150。