1.基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导，其特征在于，由单向传输区域和拼接在单向传输区域左右两侧结构相同、方向相反的两个人工磁导体组成；人工磁导体由方形金属棒在电介质背景中周期延拓并置于金属地板上构成；单向传输区域为在PMC边界条件下的太赫兹二维USMP波导结构，即电不透明介质‑磁化半导体结构，在理想磁导体边界条件下支持基于磁表面等离子的二维单向传输，人工磁导体替代理想磁导体边界条件，支持三维单向传输；

所述的电不透明介质‑磁化半导体结构，其中的电不透明介质沿着 轴正方向、轴正方向无限延展；

所述的电不透明介质相对介电常数为负值；

所述的电不透明介质‑磁化半导体结构中，磁化半导体处在静磁场 中，沿着 轴正方向、轴负方向无限延展；

所述静磁场方向为 轴正方向；

所述的磁化半导体为旋电磁光材料，在静磁场作用下，相对介电常数变为张量，具有以下形式 ，其中 ,  ， ；

其中 为磁化半导体的等离子体角频率， 为电子回旋频率，由施加

的静磁场 决定， 为磁化半导体的高频相对介电常数，磁化半导体等离子体频率。

2.根据权利要求1所述的基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导，其特征在于，所述的电不透明介质相对介电常数 。

3.如权利要求1所述的基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导，其特征在于，所述人工磁导体在工作频率 附近模拟PMC的反射特性，在工作频率时，磁场反射相位为0，适用于上述太赫兹二维USMP波导。

4.如权利要求1所述的基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导，其特征在于，所述的方形金属棒的参数如下：a=7.6 为周期常数，b=0.8a为金属棒边长,h=2a为方形金属棒和电介质高度；结构电介质相对介电常数为4，金属及金属地板材料为铜。

5.如权利要求1所述的基于磁表面等离子的太赫兹三维单向传输波导，其特征在于，所述的单向传输区域是一种在PMC边界条件下的太赫兹二维USMP波导结构，实现二维单向传输，传输方向为 轴正方向，偏振类型为H偏振（ ）。