1.一种单晶硅刻蚀装置，其特征在于，包括主轴(1)、刻蚀池池体(9)，所述主轴(1)能够沿自身轴线转动，所述主轴(1)固定安装有套座(2)，所述套座(2)安装有轴体(3)，所述轴体(3)能够沿自身轴线转动且能够绕所述主轴(1)轴线转动，所述轴体(3)固定安装有连接座(34)，所述连接座(34)与所述轴体(3)同轴设置，所述连接座(34)固定安装有料座(35)，所述料座(35)能够绕所述连接座(34)轴线转动，所述料座(35)插入所述连接座(34)，所述料座(35)设有槽体一(351)，所述槽体一(351)位于所述料座(35)远离所述连接座(34)一侧，所述料座(35)还设有孔道一(352)，所述孔道一(352)与所述槽体一(351)连通，所述轴体(3)固定安装有扇叶(33)，所述扇叶(33)转动以使流体流向所述孔道一(352)；

所述料座(35)远离所述连接座(34)一侧固定安装有固定环(36)，所述固定环(36)设有通槽(361)，所述通槽(361)与所述槽体一(351)一一对应设置，所述通槽(361)与对应的所述槽体一(351)连通，沿所述连接座(34)轴向方向，所述通槽(361)宽度小于所述槽体一(351)宽度，所述通槽(361)位于与之对应的所述槽体一(351)靠近所述孔道一(352)一侧。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅刻蚀装置，其特征在于，还包括气环二(53)，所述气环二(53)外接气泵，所述气环二(53)设有通孔二(532)，所述通孔二(532)正对所述孔道一(352)时，所述通孔二(532)喷出的气流流入所述孔道一(352)；

还包括推板(722)，所述料座(35)还设有孔道二(353)，所述孔道二(353)位于所述槽体一(351)远离所述孔道一(352)一侧，所述孔道二(353)与所述孔道一(352)同轴，所述推板(722)能够沿所述孔道二(353)轴向移动，所述推板(722)能够穿过所述孔道二(353)并插入所述槽体一(351)。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述料座(35)还设有孔道三(354)，所述孔道三(354)与所述槽体一(351)连通，所述孔道三(354)远离与所述槽体一(351)连通一侧贯通所述料座(35)外壁。

4.根据权利要求1所述的一种单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述轴体(3)插入所述套座(2)，所述轴体(3)与所述套座(2)通过轴承连接，所述套座(2)位于所述轴体(3)两侧，所述轴体(3)轴线与所述套座(2)轴线平行。

5.根据权利要求1所述的一种单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述料座(35)沿所述连接座(34)周向均布有多个，所述固定环(36)套入多个所述料座(35)，所述料座(35)远离所述连接座(34)一侧外壁与所述固定环(36)内壁贴合并固定。

6.根据权利要求2所述的一种单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述气环二(53)固定连接有气环一(52)，所述气环一(52)设有腔体一(521)、通孔一(522)，所述腔体一(521)连通所述气泵，所述通孔一(522)与所述腔体一(521)连通，所述气环二(53)设有腔体二(531)，所述腔体二(531)与所述通孔二(532)连通，所述通孔一(522)两端分别连通所述腔体一(521)、所述腔体二(531)，所述料座(35)转移至最高位置时，所述气环二(53)位于所述轴体(3)正上方，所述通孔二(532)正对所述孔道一(352)。

7.根据权利要求6所述的一种单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述通孔一(522)设置有多个，且沿远离气体通入腔体一(521)端方向，所述通孔一(522)孔径逐渐增大，所述通孔二(532)设置有多个且孔径相同。

8.根据权利要求2所述的一种单晶硅刻蚀装置，其特征在于，还包括筒体(72)，所述筒体(72)能够沿所述轴体(3)轴向移动，所述筒体(72)设有开口，所述轴体(3)转移至最高位置时，所述筒体(72)的开口能够套入所述料座(35)，所述筒体(72)远离其开口一侧连通有连接管(73)，所述连接管(73)连通有集料筒(74)。

9.根据权利要求8所述的一种单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述筒体(72)底部内壁安装有驱动部件四(721)，所述驱动部件四(721)输出端固定连接所述推板(722)。

10.一种刻蚀方法，采用权利要求1‑9任意一项所述的一种单晶硅刻蚀装置对晶硅板(4)进行刻蚀，其特征在于，包括如下步骤：

①进料：轴体(3)绕主轴(1)转动至上端极限位置，驱动轴体(3)绕自身轴向旋转至其中一个通槽(361)处于朝上状态，从该通槽(361)顶部放入晶硅板(4)，晶硅板(4)穿过通槽(361)并落入槽体一(351)，槽体一(351)底部内壁与晶硅板(4)抵接，通孔二(532)喷出气体，以使晶硅板(4)倾倒，晶硅板(4)远离槽体一(351)底部内壁一侧与通槽(361)形成错开；

②刻蚀：轴体(3)绕主轴(1)转动下端极限位置，驱动轴体(3)绕自身轴向旋转，扇叶(33)转动以使刻蚀流体介质产生流动，晶硅板(4)在刻蚀流体介质流动作用下，晶硅板(4)板面与刻蚀流体介质流动方向形成垂直，晶硅板(4)一侧板面受到刻蚀流体介质冲击；

③板面刻蚀介质清理：轴体(3)绕主轴(1)转动至上端极限位置，筒体(72)套入料座(35)，驱动轴体(3)绕自身轴向旋转，通孔二(532)喷出气体，通孔二(532)正对孔道一(352)时，从通孔二(532)喷出的气体作用于晶硅板(4)板面的液体介质，以使液体介质以小液滴的形态悬浮于空中，在扇叶(33)转动产生的风力作用下，以小液滴的形态存在液体介质被吹入连接管(73)，并在连接管(73)中重新聚合成液体并聚集于集料筒(74)进行回收；

④落料：位于上方的轴体(3)上的料座(35)转动至下端时，推板(722)伸入槽体一(351)将晶硅板(4)推向通槽(361)方向，推板(722)伸出槽体一(351)以与晶硅板(4)脱离，晶硅板(4)在重力作用下向下落料。