1.一种高电化学活性的纳米金刚石/石墨复合薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）以种晶后的单晶硅片作为基底，钽丝作为金属丝，丙酮作为碳源，通过热丝化学气相沉积法制得纳米金刚石/石墨复合薄膜电极；

（2）将步骤（1）所得纳米金刚石/石墨复合薄膜电极放置于原子层沉积设备的腔室中，在其表面沉积铂金属原子，得到沉积有铂金属原子的复合薄膜电极；

沉积铂金属原子的条件如下：采用三甲基甲基环戊二烯铂作为铂源、去离子水作为反应物、氮气作为吹扫气体，设置样品台温度270 ℃，预热时间35 min，铂源装载瓶温度60 ℃，循环次数10 50次，每一次循环中：铂源停留时间1.5 s，去离子水停留时间1.5 s，氮气~吹扫时间15 s；

（3）将步骤（2）所得沉积有铂金属原子的复合薄膜电极放置于H2SO4溶液中，并连接电化学工作站进行循环伏安处理，即得所述高电化学活性的纳米金刚石/石墨复合薄膜电极。

2.如权利要求1所述高电化学活性的纳米金刚石/石墨复合薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤（1）操作如下：将种晶后的单晶硅片作为基底放入热丝化学气相沉积设备中，钽丝作为金属丝，丙酮作为碳源，采用流量80 sccm的高纯氢气鼓泡将丙酮带入到反应室中，同时通入流量200 sccm的高纯氢气，控制生长功率2200 W、生长压力1.0 kPa、生长时间

90 min，生长结束后，停止通入丙酮，在高纯氢气中以1 V/min的速率缓慢降低电压至0 V，从而使功率随之降至0 W，得到纳米金刚石/石墨复合薄膜电极。

3.如权利要求1所述高电化学活性的纳米金刚石/石墨复合薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，单晶硅片种晶方法如下：取金刚石种晶液于抛光绒布上，在种晶液处来回研磨单晶硅片进行研磨种晶，时间为20 min，再将研磨种晶过的单晶硅片放置于金刚石种晶液中，超声种晶30 min，之后取出单晶硅片，用去离子水洗净、氮气吹干，得到种晶后的单晶硅片；其中，金刚石种晶液的配制方法为：将粒径大小为500 nm的金刚石粉和去离子水以1 g：100 mL的比例混合均匀，超声20 min，即得金刚石种晶液。

4.如权利要求1所述高电化学活性的纳米金刚石/石墨复合薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，H2SO4溶液浓度0.5 M。

5.如权利要求1所述高电化学活性的纳米金刚石/石墨复合薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，循环伏安处理的扫描范围‑3 V +3 V，扫描速率100 mV/s。

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