1.一种纳米气敏传感器的硅基底结构，其特征在于：包括基底层(1)，所述基底层(1)的上表面设置有凸出部分(2)，所述凸出部分(2)设置为多个，多个凸出部分(2)呈矩阵状分布，所述凸出部分(2)的外表面设置有凸点(3)。

2.根据权利要求1所述的纳米气敏传感器的硅基底结构，其特征在于：所述凸出部分(2)为梯台状，且靠近基底层(1)一端的面积大。

3.根据权利要求1所述的纳米气敏传感器的硅基底结构，其特征在于：所述凸出部分(2)为圆台状，且靠近基底层(1)一端的面积大。

4.根据权利要求1所述的纳米气敏传感器的硅基底结构，其特征在于：所述凸出部分(2)与基底层(1)采用一体成型工艺。

5.根据权利要求1所述的纳米气敏传感器的硅基底结构，其特征在于：所述凸点(3)与凸出部分(2)采用一体成型工艺。

6.根据权利要求1所述的纳米气敏传感器的硅基底结构，其特征在于：所述基底层(1)的底部开设有空腔(4)，所述空腔(4)呈梯台状，且空腔(4)底端的面积大。