1.一种MEMS气敏传感器基底层结构，其特征在于：包括硅基底层(1)，所述硅基底层(1)上方依次层叠有第一绝缘材料层(4)、第二绝缘材料层(5)和微加热层(6)，所述微加热层(6)的上表面设置有保护材料层(7)，所述保护材料层(7)上表面的两端均设置有微电极(3)，两个微电极(3)之间电性连接有气敏材料层(2)。

2.根据权利要求1所述的MEMS气敏传感器基底层结构，其特征在于：所述硅基底层(1)的底部中段设置有通槽(10)，所述通槽(10)贯穿硅基底层(1)。

3.根据权利要求2所述的MEMS气敏传感器基底层结构，其特征在于：所述通槽(10)呈梯形状，且其上端的宽度小。

4.根据权利要求1所述的MEMS气敏传感器基底层结构，其特征在于：所述硅基底层(1)底部的两端均设置有第三绝缘材料层(8)。

5.根据权利要求1所述的MEMS气敏传感器基底层结构，其特征在于：所述微加热层(6)的内部固定镶嵌有微加热器(9)，所述微加热器(9)设置为多个，多个微加热器(9)等距离分布。