1.一种碳化硅生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：将碳源和氯化钠放置于合成反应容器底部，通入惰性气体，预热至700 750℃，再次~除去部分杂质；

S2：将预处理后的硅源，放置于提纯容器底部，并分步骤逐渐升温至2250℃，除去低沸点杂质；

S3：在步骤S2的提纯容器底部通入惰性气体，同时将温度升至2350 2400℃，惰性气体~将气相硅从提纯容器带入缓冲罐，缓冲罐的温度为2250 2350℃，进一步除去低沸点杂质，~之后进入合成反应器，进入合成反应器的气相硅将合成反应器中碳源温度逐渐加热至1900

2200℃，同时合成反应器开始加热，保持反应温度在1900 2200℃，反应时间10 20h，得到~ ~ ~碳化硅粗品；

S4：将步骤S3得到的碳化硅粗品降温至700 750℃，超声震碎，再次通入氧气进行提纯，~提纯后，降温、水洗、干燥、得到碳化硅纯品，纯度＞99.99%；

所述步骤S2中硅源为光伏产生的2微米的硅泥废料，硅含量大于80%，所述硅源的预处理方法为，硅泥废料通过中频炉先加热至2200℃，然后再缓慢加热至2350℃，缓慢加热时间为3h，熔成块状，排除硅泥内的杂质，含量提高到99.9%以上，然后将含量99.9%以上的块状硅料破碎成0 20mm的颗粒；

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所述步骤S1中碳源为石油焦、无烟煤、生产2‑乙基蒽醌工艺中精馏2‑乙基蒽醌粗品后精馏釜内底料、足球烯中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的碳化硅生产工艺，其特征在于，所述步骤S1中碳源和氯化钠的质量比为6 9∶1，所述步骤S3中合成反应中，碳和硅的摩尔数之比为1 1.05∶1。

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3.根据权利要求1所述的碳化硅生产工艺，其特征在于，所述步骤S1中碳源为石油焦、无烟煤、生产2‑乙基蒽醌工艺中精馏2‑乙基蒽醌粗品后精馏釜内底料时，碳源需要预处理，预处理方法包括以下步骤：S21：将碳源粉碎，然后采用乙醇洗涤、水洗、得到洗涤后的碳源；

S22：将步骤S21得到的洗涤后的碳源，采用3wt%氢氧化钠溶液浸泡活化2 3小时，然后~过滤、洗涤得到碱洗后的碳源；

S23：将步骤S22中碱洗后的碳源，温度在20 60℃之间，采用酸溶液浸泡3小时，然后过~滤、洗涤、中和、干燥得到预处理后的碳源。

4.根据权利要求3所述的碳化硅生产工艺，其特征在于，所述步骤S23中酸溶液中氢氟酸、盐酸含量分别为0.5wt%，1wt%。

5.根据权利要求1所述的碳化硅生产工艺，其特征在于，所述惰性气体为氩气、氦气中的一种。

6.根据权利要求1所述的碳化硅生产工艺，其特征在于，所述步骤S2中升温过程为，先升温至750℃，保持2h，再升温至1600℃，保持1h，最后升温至2250℃，保持3h。