1.一种低巴伦误差、高线性低噪声宽带放大器，其特征在于，包括：输入端、共源级放大器、差分电流平衡器、OTA、负载电路和增强型源极跟随器；

所述输入端包含电阻Rs、端口P1、电容C0、电感L0、电阻Rf和电容Cf；

所述共源级放大器包括第一共源级放大器、第二共源级放大器，第一共源级放大器和第二共源级放大器结构相同；所述第一共源级放大器两侧设置端口A、B；所述第二共源级放大器两侧设置端口C、M；所述第一共源级放大器、第二共源级放大器中间设置节点X；

所述差分电流平衡器两侧设置端口D、E和端口F、G；所述差分电流平衡器端口E与第二共源级放大器端口M之间设置节点Y；

所述OTA两侧设置端口P2、P3和P4；所述端口P4分别与端口P5、端口P6连接；所述端口P4与端口P5之间设置RL，cm，所述端口P4与端口P6之间设置RL，cm1；所述端口P6与差分电流平衡器端口G之间设置节点Z；

所述负载电路两侧设置端口T、V；

所述增强型源极跟随器两侧设置端口H、J、K；

输入端电阻Rs的一端接收输入信号Vs，另一端与电容C0的一端连接，并接至端口P1；所述电容C0的另一端接地；所述输入端电阻Rf的一端与电容Cf的一端连接，并接至端口P1，另一端与电容Cf的另一端连接，并接至增强型源极跟随器的H端；所述输入端电感L0的一端与端口P1连接，另一端与第一共源级放大器的A端连接；

所述增强型源极跟随器的J端与OTA的端口P5连接，所述增强型源极跟随器的K端与节点Z连接，所述节点Z与另一输出端口P6连接；

所述第一共源级放大器的B端与节点X连接，所述第二共源级放大器的C端与节点X连接，所述第二共源级放大器的M端与节点Y连接；

所述差分电流平衡器的D端与节点X连接，所述差分电流平衡器的E端与节点Y连接，所述差分电流平衡器的F端与输出端口P5连接，所述差分电流平衡器的G端与节点Z连接；

所述电阻RL，cm的一端与端口P5连接，另一端与OTA的端口P4连接；所述电阻RL，cm1的一端与端口P6连接，另一端与OTA的端口P4连接；所述OTA的端口P3接电源电压Vref，所述端口P2与负载电路连接；

所述负载电路的T端与输出端口P5连接，所述负载电路的V端与另一输出端口P6连接；

所述输入信号Vs从P1端口进来，经端口A进入第一共源级放大器经B端口的传递，一路信号传递到D端口进入差分电流平衡器，另一路信号经端口C进入第二共源级放大器经Y节点的传递到E端口进入差分电流平衡器，经差分电流平衡器端口F、G传递到P5、P6端口，通过P5、P6端口传递到P4端口进入OTA，经P2端口传递进入负载电路，经负载电路T、V端口的传递，经P5、P6端口输出VO信号；同时输出VO信号经J、K端口的传递进入增强型源极跟随器，经增强型源极跟随器端口H的传递，到达P1端口形成反馈。

2.根据权利要求1所述的一种低巴伦误差、高线性低噪声宽带放大器，其特征在于，所述共源级放大器包括：NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp1、PMOS管Mp2、电容C1、电容C2、电阻R1、电阻R2；

所述电容C1的一端与电容C2的一端连接，并接至端口A/C，所述电容C1的另一端与电阻R1的一端和PMOS管Mp1～2栅端连接，所述电阻R1的另一端接电源电压Vb1，所述PMOS管Mp1～2源端接电源电压1.2V，所述PMOS管Mp1～2漏端与NMOS管Mn1～2漏端连接，并接至端口B/M，所述NMOS管Mn1～2源端接地，所述电容C2的另一端与电阻R2的一端和NMOS管Mn1～2栅端连接，所述电阻R2的另一端接电源电压Vb0。

3.根据权利要求1所述的一种低巴伦误差、高线性低噪声宽带放大器，其特征在于，所述差分电流平衡器包括：NMOS管M3、NMOS管M4、电容C6、电容C7、电阻R6、电阻R7；

所述电容C6的一端与NMOS管M3栅端和电阻R6的一端连接，所述电容C6的另一端与NMOS管M4源端连接，所述电阻R6的另一端与电阻R7的一端连接，并接电源电压Vb2，所述电阻R7的另一端与电容C7的一端和NMOS管M4栅端连接，所述电容C7的另一端与NMOS管M3源端连接，所述NMOS管M3漏端接至端口F，所述NMOS管M3源端接至端口D，所述NMOS管M4漏端接至端口G，所述NMOS管M4源端接至端口E。

4.根据权利要求1所述的一种低巴伦误差、高线性低噪声宽带放大器，其特征在于，所述OTA包括：NMOS管M0、NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M6、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、电容CL，cm、电容Cm、电容Cz、电容CL、电阻Rm、电阻Rz；

所述电容CL，cm的一端与NMOS管M1栅端连接，并接至端口P4，所述电容CL，cm的另一端接地，所述NMOS管M1源端与NMOS管M0漏端和NMOS管M2源端连接，所述NMOS管M1漏端与PMOS管M3漏端和PMOS管M3栅端连接，所述PMOS管M3源端接电源电压1.2V，所述PMOS管M3栅端与PMOS管M4栅端连接，所述PMOS管M4源端接电源电压1.2V，所述PMOS管M4漏端与PMOS管M5栅端和NMOS管M2漏端连接，所述NMOS管M2栅端接电源电压Vref，所述NMOS管M0栅端接电源电压Vb0，ota，所述NMOS管M0源端接地，所述PMOS管M5源端接电源电压1.2V，所述电阻Rm的一端与PMOS管M5栅端连接，所述电阻Rm的另一端与电容Cm的一端连接，所述电容Cm的另一端与PMOS管M5漏端和NMOS管M6漏端连接，所述电容CL的一端与PMOS管M5漏端和NMOS管M6漏端连接，并接至端口P2，所述电容CL的另一端接地，所述电容Cz的一端与PMOS管M5漏端和NMOS管M6漏端连接，所述电容Cz的另一端与电阻Rz的一端和NMOS管M6栅端连接，所述电阻Rz的另一端接电源电压Vb1，ota，所述NMOS管M6源端接地。

5.根据权利要求1所述的一种低巴伦误差、高线性低噪声宽带放大器，其特征在于，所述负载电路包括：PMOS管M7、PMOS管M8、电阻R5、电容CL，cmp、电容CR，cmp；

所述电容CL，cmp的一端与PMOS管M7源端连接，所述PMOS管M7源端接电源电压1.2V，所述电容CL，cmp的另一端与PMOS管M7漏端连接，并接至端口T，所述PMOS管M7栅端与PMOS管M8栅端连接，并接至端口P2，所述电阻R5的一端与电容CR，cmp的一端连接，所述电阻R5的另一端与PMOS管M8漏端连接，并接至端口V，所述电容CR，cmp的另一端与PMOS管M8源端连接，所述PMOS管M8源端接电源电压1.2V。

6.根据权利要求1所述的一种低巴伦误差、高线性低噪声宽带放大器，其特征在于，所述增强型源极跟随器包括：NMOS管M5、NMOS管M7、电容C3、电容C4、电阻R3、电阻R4；

所述电容C3的一端与端口J连接，并作为一路输出端口Vo+，所述电容C3的另一端与电阻R3的一端和NMOS管M5栅端连接，所述电阻R3的另一端接电源电压Vb4，所述NMOS管M5漏端接电源电压1.2V，所述NMOS管M5源端与NMOS管M7漏端连接，并接至端口H，所述NMOS管M7源端接地，所述电容C4的一端与端口K连接，并作为另一路输出端口Vo‑，所述电容C4的另一端与电阻R4的一端和NMOS管M7栅端连接，所述电阻R4的另一端接电源电压Vb3。