1.一种放大器电路，包括：

输入端，被配置为接收输入信号；

输出端，被配置为传输输出信号；

第一信号路径，包括第一放大电路，其中所述第一放大电路被配置为经由第一反相器输入接收所述输入信号并将第一经放大的输出经由第一反相器输出传输到输出端，其中，所述第一反相器输出经由第一反馈组件连接到所述第一反相器输入，第一经放大的输出包括第一放大器电路谐波噪声；

第二信号路径，包括第二放大电路，其中所述第二放大电路被配置为经由第二反相器输入接收所述输入信号并将第二经放大的输出经由第二反相器输出传输到输出端，其中，所述第二反相器输出经由第二反馈组件连接到所述第二反相器输入，所述第二经放大的输出包括第二放大器电路谐波噪声；

其中，所述第一反相器输入连接至所述第一反相器输出，所述第一反相器输出经由第一输出电容器连接至所述输出端，所述第二反相器经由第二输出电容器连接至所述输出端，并且，所述第一反相器输出处的第一DC偏置电压被配置成大于所述第二反相器输出处的第二DC偏置电压，使得偏置电流从所述第一反相器输出通过所述第一反馈组件和所述第二反馈组件流到所述第二反相器输出；所述输出信号包括所述第一经放大的输出和所述第二经放大的输出，并且其中在所述输出信号中所述第一放大电路谐波噪声至少部分地被所述第二放大电路谐波噪声抵消。

2.根据权利要求1所述的放大器电路，还包括输入电容器，被配置为将所述输入信号耦合到所述第一信号路径和所述第二信号路径中的每个。

3.根据权利要求1所述的放大器电路，还包括输入电容器，被配置为将所述输入信号耦合到所述第一放大电路和所述第二放大电路中的每个。

4.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，

所述第一放大电路包括：

一个或多个第一PMOS器件，所述一个或多个第一PMOS器件连接到所述第一反相器输出，以及一个或多个第一NMOS器件，所述一个或多个第一NMOS器件连接到所述第一反相器输出；并且所述第二放大电路包括：

一个或多个第二PMOS器件，所述一个或多个第二PMOS器件连接到所述第二反相器输出，以及一个或多个第二NMOS器件，所述一个或多个第二NMOS器件连接到所述第二反相器输出，其中所述第一PMOS器件的单位宽度的跨导不同于所述第二PMOS器件的单位宽度的跨导，并且其中所述第一NMOS器件的单位宽度的跨导不同于所述第二NMOS器件的单位宽度的跨导。

5.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，

所述第一放大电路包括：

一个或多个第一PMOS器件，所述一个或多个第一PMOS器件连接到所述第一反相器输出，以及一个或多个第一NMOS器件，所述一个或多个第一NMOS器件连接到所述第一反相器输出；并且所述第二放大电路包括：

一个或多个第二PMOS器件，所述一个或多个第二PMOS器件连接到所述第二反相器输出，以及一个或多个第二NMOS器件，所述一个或多个第二NMOS器件连接到所述第二反相器输出，其中所述第一PMOS器件的漏极和源极之间的电压差不同于所述第二PMOS器件的漏极和源极之间的电压差，并且其中，所述第一NMOS器件的漏极和源极之间的电压差不同于所述第二NMOS器件的漏极和源极之间的电压差。

6.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，

所述第一输出电容器被配置为将所述第一经放大的输出耦合到所述输出端；并且所述第二输出电容器被配置为将第二经放大的输出耦合到所述输出端。

7.一种使用放大器电路的方法，所述方法包括：

利用输入端来接收输入信号；

利用输出端来传输输出信号；

利用第一信号路径的第一放大电路的第一反相器输入来接收所述输入信号；

利用所述第一放大电路的第一反相器输出将第一经放大的输出传输到所述输出端，其中，所述第一反相器输出经由第一反馈组件连接到所述第一反相器输入，所述第一经放大的输出包括第一放大器电路谐波噪声；

利用第二信号路径的第二放大电路的第二反相器输入来接收所述输入信号；

利用所述第二放大电路的第二反相器输出将第二经放大的输出传输到所述输出端，其中，所述第二反相器输出经由第二反馈组件连接到所述第二反相器输入，所述第二经放大的输出包括第二放大器电路谐波噪声；

其中，所述第一反相器输入连接至所述第一反相器输出，所述第一反相器输出经由第一输出电容器连接至所述输出端，所述第二反相器经由第二输出电容器连接至所述输出端，并且，所述第一反相器输出处的第一DC偏置电压被配置成大于所述第二反相器输出处的第二DC偏置电压，使得偏置电流从所述第一反相器输出通过所述第一反馈组件和所述第二反馈组件流到所述第二反相器输出；所述输出信号包括第一经放大的输出和第二经放大的输出，并且其中在所述输出信号中所述第一放大电路谐波噪声至少部分地被所述第二放大电路谐波噪声抵消。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括利用输入电容器将所述输入信号耦合到所述第一信号路径和所述第二信号路径中的每个。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括利用输入电容器将所述输入信号耦合到所述第一放大电路和所述第二放大电路中的每个。

10.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述第一放大电路包括：

一个或多个第一PMOS器件，所述一个或多个第一PMOS器件连接到所述第一反相器输出，以及一个或多个第一NMOS器件，所述一个或多个第一NMOS器件连接到所述第一反相器输出；并且所述第二放大电路包括：

一个或多个第二PMOS器件，所述一个或多个第二PMOS器件连接到所述第二反相器输出，以及一个或多个第二NMOS器件，所述一个或多个第二NMOS器件连接到所述第二反相器输出，其中所述第一PMOS器件的单位宽度的跨导不同于所述第二PMOS器件的单位宽度的跨导，并且其中所述第一NMOS器件的单位宽度的跨导不同于所述第二NMOS器件的单位宽度的跨导。

11.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述第一放大电路包括：

一个或多个第一PMOS器件，所述一个或多个第一PMOS器件连接到所述第一反相器输出，一个或多个第一NMOS器件，所述一个或多个第一NMOS器件连接到所述第一反相器输出；并且所述第二放大电路包括：

一个或多个第二PMOS器件，所述一个或多个第二PMOS器件连接到所述第二反相器输出，一个或多个第二NMOS器件，所述一个或多个第二NMOS器件连接到所述第二反相器输出，其中所述第一PMOS器件的漏极和源极之间的电压差不同于所述第二PMOS器件的漏极和源极之间的电压差，并且其中，所述第一NMOS器件的漏极和源极之间的电压差不同于所述第二NMOS器件的漏极和源极之间的电压差。

12.根据权利要求7所述的方法，还包括：

利用所述第一信号路径的第一输出电容器，将所述第一经放大的输出耦合到所述输出端；和利用所述第二信号路径的第二输出电容器，将第二经放大的输出耦合到所述输出端。

13.一种接收器电路，包括：

低噪声放大器电路(LNA)，包括：

输入端，被配置为接收输入信号；

输出端，被配置为传输输出信号；

第一信号路径，包括第一放大电路，其中所述第一放大电路被配置为经由第一反相器输入接收所述输入信号并将第一经放大的输出经由第一反相器输出传输到输出端，其中，所述第一反相器输出经由第一反馈组件连接到所述第一反相器输入，所述第一经放大的输出包括第一放大器电路谐波噪声；

第二信号路径，包括第二放大电路，其中所述第二放大电路被配置为经由第二反相器输入接收所述输入信号并将第二经放大的输出经由第二反相器输出传输到输出端，其中，所述第二反相器输出经由第二反馈组件连接到所述第二反相器输入，所述第二经放大的输出包括第二放大器电路谐波噪声；

其中，所述第一反相器输入连接至所述第一反相器输出，所述第一反相器输出经由第一输出电容器连接至所述输出端，所述第二反相器经由第二输出电容器连接至所述输出端，并且，所述第一反相器输出处的第一DC偏置电压被配置成大于所述第二反相器输出处的第二DC偏置电压，使得偏置电流从所述第一反相器输出通过所述第一反馈组件和所述第二反馈组件流到所述第二反相器输出；所述输出信号包括所述第一经放大的输出和所述第二经放大的输出，并且其中在所述输出信号中所述第一放大电路谐波噪声至少部分地被所述第二放大电路谐波噪声抵消；

模数转换器(ADC)，被配置为基于LNA的输出信号来接收模拟信号，并基于接收到的模拟信号来生成数字信号；以及控制器，被配置为接收所述数字信号。

14.根据权利要求13所述的接收器，其中，

所述第一放大电路包括：

一个或多个第一PMOS器件，所述一个或多个第一PMOS器件连接到所述第一反相器输出，以及一个或多个第一NMOS器件，所述一个或多个第一NMOS器件连接到所述第一反相器输出；并且所述第二放大电路包括：

一个或多个第二PMOS器件，所述一个或多个第二PMOS器件连接到所述第二反相器输出，以及一个或多个第二NMOS器件，所述一个或多个第二NMOS器件连接到所述第二反相器输出，其中所述第一PMOS器件的单位宽度的跨导不同于所述第二PMOS器件的单位宽度的跨导，并且其中所述第一NMOS器件的单位宽度的跨导不同于所述第二NMOS器件的单位宽度的跨导。

15.根据权利要求13所述的接收器，其中，

所述第一放大电路包括：

一个或多个第一PMOS器件，所述一个或多个第一PMOS器件连接到所述第一反相器输出，以及一个或多个第一NMOS器件，所述一个或多个第一NMOS器件连接到所述第一反相器输出；并且所述第二放大电路包括：

一个或多个第二PMOS器件，所述一个或多个第二PMOS器件连接到所述第二反相器输出，以及一个或多个第二NMOS器件，所述一个或多个第二NMOS器件连接到所述第二反相器输出，其中所述第一PMOS器件的漏极和源极之间的电压差不同于所述第二PMOS器件的漏极和源极之间的电压差，并且其中所述第一NMOS器件的漏极和源极之间的电压差不同于所述第二NMOS器件的漏极和源极之间的电压差。