1.基于噪声抵消结构的低噪声放大器，其特征在于，包括场效应管M1，连接于场效应管M1源极的变压器耦合正反馈电路U1，连接于场效应管M1漏极的变压器耦合正反馈电路U2，栅极连接于场效应管M1的源极和变压器耦合正反馈电路U1之间的场效应管M3，源极与场效应管M3的源极相连、栅极连接于场效应管M1的漏极和变压器耦合正反馈电路U2之间的场效应管M2，栅极连接于场效应管M3和场效应管M2的源极之间的场效应管M4。

2.根据权利要求1所述的基于噪声抵消结构的低噪声放大器，其特征在于，所述场效应管M2的漏极与地之间连接有变压器耦合负反馈电路U4。

3.根据权利要求2所述的基于噪声抵消结构的低噪声放大器，其特征在于，所述场效应管M3的源极和变压器耦合正反馈电路U1连接场效应管M1源极一端相对的另一端之间连接有变压器耦合负反馈电路U3。

4.根据权利要求3所述的基于噪声抵消结构的低噪声放大器，其特征在于，所述场效应管M4的漏极接地、源极连接有变压器耦合负反馈电路U5，所述变压器耦合负反馈电路U5一端与场效应管M4的源极相连、另一端与变压器耦合正反馈电路U1连接场效应管M1源极一端相对的另一端相连。

5.根据权利要求4所述的基于噪声抵消结构的低噪声放大器，其特征在于，所述场效应管M1的源极与场效应管M3的栅极之间、场效应管M1的漏极与场效应管M2的栅极之间、场效应管M2的源极与场效应管M4的栅极之间均连接有耦合电容。